[发明专利]偏置启动电路、集成高压电路及集成低压电路

权利要求书

1.一种偏置启动电路，包括：相互耦接的启动电路以及偏置信号产生电路，其特征在于，其中：

所述启动电路，用于向所述偏置信号产生电路输出控制信号，以控制所述偏置信号产生电路启动；所述启动电路包括启动电路单元，所述启动电路单元包括：第一电阻、第一电容和第一NMOS管，其中：

所述第一电容，所述第一电容的第一端口与所述第一NMOS管的漏极耦接，所述第一电容的第二端口与所述第一NMOS管的栅极、所述第一电阻的第一端口耦接；所述第一电容的第一端口为所述启动电路单元的第一端口；

所述第一电阻，所述第一电阻的第二端口与所述第一NMOS管的源极、所述第一NMOS管的衬底耦接；所述第一电阻的第二端口为所述启动电路单元的第二端口；所述偏置信号产生电路，用于在接收到所述控制信号时，生成并输出偏置信号，并将所述偏置信号作为反馈信号反馈至所述启动电路以关闭所述启动电路。

2.根据权利要求1所述的偏置启动电路，其特征在于，所述启动电路还包括：第三电阻、第四电阻、第五电阻、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一稳压二极管、第二稳压二极管和第三稳压二极管，其中：所述第三电阻，所述第三电阻的第一端口与所述第一稳压二极管的第一端口、所述第二稳压二极管的第一端口、所述偏置信号产生电路的电源，均相互耦接至电源电压，所述第三电阻的第二端口与所述启动电路单元的第一端口耦接；

所述启动电路单元的第二端口与所述第三NMOS管的漏极、所述第三稳压二极管的第一端口、所述第四NMOS管的栅极、所述第五NMOS管的栅极均相互耦接；

所述第三NMOS管，所述第三NMOS管的源极与所述第三NMOS管的衬底、所述第四NMOS管的衬底、所述第五NMOS管的衬底、所述第三稳压二极管的第二端口、所述第四电阻的第二端口、所述第五电阻的第二端口、所述偏置信号产生电路的地，均相互耦接至地，所述第三NMOS管的栅极与所述偏置信号产生电路的第一输出端耦接；

所述第四NMOS管，所述第四NMOS管的源极与所述第四电阻的第一端口耦接，所述第四NMOS管的漏极与所述第一稳压二极管的第二端口、所述偏置信号产生电路的第二输出端均相互耦接；

所述第五NMOS管，所述第五NMOS管的源极与所述第五电阻的第一端口耦接，所述第五NMOS管的漏极与所述第二稳压二极管的第二端口、所述偏置信号产生电路的第三输出端均相互耦接。

3.根据权利要求2所述的偏置启动电路，其特征在于，所述启动电路还包括：串联在所述第四NMOS管的源极和所述第四电阻的第一端口之间的一个或者多个NMOS管；

串联在所述第五NMOS管的源极和所述第五电阻的第一端口之间的一个或者多个NMOS管。