[发明专利]MoS2敏化TiO2薄膜的制备方法、MoS2敏化TiO2薄膜及其应用在审
| 申请号： | 201810775180.9 | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN108786858A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 吕建国;赵敏;缪锐;禹波;王顺;夏志远;薛俊 | 申请（专利权）人： | 合肥师范学院 |
| 主分类号： | B01J27/051 | 分类号： | B01J27/051;B01J35/06 |
| 代理公司： | 常州兴瑞专利代理事务所(普通合伙) 32308 | 代理人： | 肖兴坤 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 敏化 制备 二氧化钛薄膜 少层 离心分离回收 多次重复 分散液涂 光催化剂 过程重复 降解效率 紫外光照 烘干 涂覆 应用 生长 | ||
1.一种MoS2敏化TiO2薄膜的制备方法，其特征在于方法的步骤中含有：
S1：准备一基片；
S2：在基片上生长二氧化钛薄膜；
S3：对二氧化钛薄膜进行紫外光照处理；
S4：将一过程重复至少一次，得到MoS2敏化TiO2薄膜；其中，所述过程为：将少层MoS2分散液涂覆于二氧化钛薄膜上，涂覆结束后烘干。
2.根据权利要求1所述的MoS2敏化TiO2薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤S1中，所述基片为透明导电玻璃。
3.根据权利要求1所述的MoS2敏化TiO2薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤S1中，所述基片在步骤S2前需要预处理，所述预处理包括：基片分别在乙醇和去离子水中超声清洗，再用去离子水冲洗至少一次，最后烘干。
4.根据权利要求1所述的MoS2敏化TiO2薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S2具体为：
制备混合溶液，并将混合溶液转移至高压釜中；其中，混合溶液为盐酸、去离子水和钛酸丁酯的混合液；
将基片放入高压釜中进行反应，从而在基片上生长出二氧化钛薄膜，结束后自然冷却至室温，取出样品，然后经过清洗和烘干后获得二氧化钛薄膜。
5.根据权利要求4所述的MoS2敏化TiO2薄膜的制备方法，其特征在于：所述混合溶液中，盐酸：去离子水：钛酸丁酯的体积比为：20：20：0.68。
6.根据权利要求4所述的MoS2敏化TiO2薄膜的制备方法，其特征在于：基片在高压釜中反应的时间为10～12小时，反应温度为130℃～150℃。
7.根据权利要求1所述的MoS2敏化TiO2薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤S3中，紫外光照处理中所使用的紫外灯的主波长为254nm，功率为36W。
8.根据权利要求1所述的MoS2敏化TiO2薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤S1中，基片的尺寸为25mm×25mm×2.2mm。
9.一种MoS2敏化TiO2薄膜，其特征在于它由如权利要求1至8中任一项所述的制备方法制备得到。
10.一种如权利要求9所述的MoS2敏化TiO2薄膜的应用，其特征在于它作为光催化剂使用。
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