[发明专利]基于二维硒纳米片的光电化学型光探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于二维硒纳米片的光电化学型光探测器，其特征在于，包括工作电极、对电极以及设于所述工作电极和所述对电极之间的电解液，所述工作电极包括导电基底和设置在所述导电基底朝向所述对电极的一侧上的半导体层，所述半导体层的材料包括二维硒纳米片。

2.如权利要求1所述的光电化学型光探测器，其特征在于，所述二维硒纳米片为晶体结构或无定形结构。

3.如权利要求1所述的光电化学型光探测器，其特征在于，所述二维硒纳米片的厚度为1-50nm。

4.如权利要求1所述的光电化学型光探测器，其特征在于，所述二维硒纳米片的长宽尺寸为10-200nm。

5.如权利要求1所述的光电化学型光探测器，其特征在于，所述半导体层还包括高分子材料，所述高分子材料与所述二维硒纳米片均匀分布在所述半导体层中，所述高分子材料包括聚偏氟乙烯和纤维素中的至少一种。

6.如权利要求5所述的光电化学型光探测器，其特征在于，所述高分子材料与所述二维硒纳米片的质量比为1:10-1:100。

7.如权利要求1所述的光电化学型光探测器，其特征在于，所述电解液包括碱性电解液或中性电解液。

8.一种基于二维硒纳米片的光电化学型光探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供硒原料，采用液相剥离的方法对所述硒原料进行剥离，得到二维硒纳米片；

将所述二维硒纳米片分散在有机溶剂中形成二维硒纳米片分散液，将所述二维硒纳米片分散液均匀涂布在导电基底上，干燥后，在所述导电基底上形成半导体层，得到工作电极；

提供对电极，组装所述工作电极和所述对电极，使所述工作电极和所述对电极形成中间有空腔的三明治结构；然后向所述空腔中注入电解液，经封装后得到基于二维硒纳米片的光电化学型光探测器。

9.如权利要求8所述的光电化学型光探测器的制备方法，其特征在于，所述液相剥离的方法具体包括以下操作：

将所述硒原料加入至溶剂中，在冰浴环境下采用探头超声8-12h；所述探头超声结束后，继续采用水浴超声，所述水浴超声时间为5-12h，所述水浴的温度保持在0-10℃；水浴超声后，进行离心和干燥得到二维硒纳米片。

10.如权利要求8所述的光电化学型光探测器的制备方法，其特征在于，所述工作电极的具体制备方法包括：

提供高分子材料，将所述高分子材料溶解在所述有机溶剂中，然后将所述二维硒纳米片分散在含有所述高分子材料的所述有机溶剂中，形成二维硒纳米片分散液，将所述二维硒纳米片分散液均匀涂布在所述导电基底上形成半导体层，干燥后得到所述工作电极。