[发明专利]一种基于3D堆叠式多隧道结的磁性忆阻器在审
| 申请号： | 201810776305.X | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN109065706A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 游龙;洪正敏;曾逸 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘层 磁性层 隧道结 磁性薄膜 堆叠式 忆阻器 自旋 磁性隧道结 多值存储器 存储技术 电流控制 多值存储 交替叠加 交替设置 外加磁场 低功耗 轻薄化 上下层 翻转 多层 功耗 串联 | ||
1.一种基于3D堆叠式多隧道结的磁性忆阻器，其特征在于，包括n层磁性层和(n-1)层绝缘层，磁性层和绝缘层交替设置，其中，n为大于等于2的整数，一层绝缘层及其上下层磁性层构成一个隧道结，n层磁性层和(n-1)层绝缘层构成(n-1)个隧道结。
2.如权利要求1所述的一种基于3D堆叠式多隧道结的磁性忆阻器，其特征在于，所述磁性层的材料为CoFeB或者Co。
3.如权利要求1或2所述的一种基于3D堆叠式多隧道结的磁性忆阻器，其特征在于，所述绝缘层的材料为MgO或者AlOx。
4.如权利要求1或2所述的一种基于3D堆叠式多隧道结的磁性忆阻器，其特征在于，所述磁性层的厚度为0.8nm-3nm。
5.如权利要求1或2所述的一种基于3D堆叠式多隧道结的磁性忆阻器，其特征在于，所述绝缘层的厚度为0.8nm-3nm。
6.如权利要求1或2所述的一种基于3D堆叠式多隧道结的磁性忆阻器，其特征在于，所述磁性层为单磁畴或者多磁畴。
7.如权利要求1或2所述的一种基于3D堆叠式多隧道结的磁性忆阻器，其特征在于，所述磁性忆阻器通过控制磁性层的厚度、绝缘层的厚度以及磁性层为单磁畴或者多磁畴，实现多个电阻态的存储。
8.如权利要求1或2所述的一种基于3D堆叠式多隧道结的磁性忆阻器，其特征在于，所述磁性层利用自旋力矩转移效应翻转。
9.如权利要求1或2所述的一种基于3D堆叠式多隧道结的磁性忆阻器，其特征在于，所述隧道结的电阻由绝缘层厚度和隧道磁电阻效应决定。
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