[发明专利]一种横向布置高功率微波单模处理器

说明书

本发明公开了一种横向布置高功率微波单模处理器，包括微波激励腔，其中，所述微波激励腔为方形波导，由确定的宽边和窄边组成，所述微波激励腔内沿所述宽边方向设置有负载管，所述微波激励腔一侧底部设置有调整销钉，所述微波激励腔顶部套设有连接法兰，与微波源相连接，所述负载管两端分别设置有进料接口和出料接口，并且，所述进料接口和所述出料接口位于所述微波激励腔的窄边上，所述微波激励腔与所述负载管连接处设置有与所述负载管相匹配的截止波导。本发明的有益效果为：本发明提供一种横向布置高功率微波单模处理器，其结构更加合理，增加功率密度，加强物化反应，缩短反应时间，降低功耗。

技术领域

本发明涉及微波技术领域，具体来说，涉及一种横向布置高功率微波单模处理器。

背景技术

微波能被誉为“人类第二团火焰”，微波处理技术是正被广泛地研究和应用，特别是在污水处理、化学合成、萃取等领域，被越来越多地得到重视。微波具有选择性的加热，在处理过程中，微波能够加速流体中离子分离，加速化学反应的发生，一方面可以加快处理速度，另一方面节约能源。现有的处理装置大多是采用大直径圆形微波激励腔，因此微波激励腔内腔容积大，功率密度低，减弱了物化反应，延长反应时间，降低了反应效果；微波对被处理物的穿透深度不一，造成被处理物对微波能量吸收不均匀和不充分，降低处理效果，增加功耗，增加了处理设备调试难度。

针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

针对相关技术中的问题，本发明提出一种横向布置高功率微波单模处理器，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。

本发明的技术方案是这样实现的：

一种横向布置高功率微波单模处理器，包括微波激励腔，其中，所述微波激励腔为方形波导，由确定的宽边和窄边组成，所述微波激励腔内沿所述宽边方向设置有负载管，所述微波激励腔一侧底部设置有调整销钉，所述微波激励腔顶部套设有连接法兰，与微波源相连接，所述负载管两端分别设置有进料接口和出料接口，并且，所述进料接口和所述出料接口位于所述微波激励腔的窄边上，所述微波激励腔与所述负载管连接处设置有与所述负载管相匹配的截止波导。

进一步的，所述微波激励腔采用2.45GHz微波源时为BJ26标准波导，宽边的尺寸为86.36mm,窄边的尺寸为43.18mm。。

进一步的，所述微波激励腔采用915MHz微波源时为BJ9标准波导，宽边的尺寸为247.65mm，窄边尺寸为123.82mm。

进一步的，所述负载管(2)为倒的n型，由透波材料制成。

进一步的，所述负载管从微波激励腔窄边穿过微波激励腔，使负载管内物料输送方向与微波激励腔内微波传输方向垂直。

进一步的，所述截止波导位于负载管穿过窄边处，与微波激励腔焊接成一体。

进一步的，所述截止波导为圆形结构，并且，所述截止波导内径小于微波激励腔窄边尺寸，所述截止波导长度大于所述截止波导内径的1.5倍。

进一步的，所述调整销钉其功能是通过调整销钉进入微波激励腔内的深度，调整微波激励腔内微波反射波相位，使入射波与反射波叠加后，负载管处于微波激励腔内电场最强处或磁场最强处。

进一步的，所述连接法兰使微波激励腔与微波源相连，微波源将微波自连接法兰口馈入微波激励腔。