[发明专利]面阵传感器及其形成方法、工作方法有效
申请号: | 201810777361.5 | 申请日: | 2018-07-16 |
公开(公告)号: | CN110730317B | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 凌严;朱虹 | 申请(专利权)人: | 上海箩箕技术有限公司 |
主分类号: | H04N5/369 | 分类号: | H04N5/369 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 薛异荣;吴敏 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 及其 形成 方法 工作 | ||
1.一种面阵传感器,其特征在于,包括:传感器电路,所述传感器电路包括像素单元阵列,所述像素单元阵列包括N行像素单元,N为大于等于1的整数;
驱动电路,所述驱动电路包括至少N行移位单元,第i行移位单元的输出信号用于控制第i行像素单元的开启,i为大于等于1且小于等于N的整数;
所述驱动电路还包括:第一全局清空信号线,第一全局清空信号线分别和各奇数行的移位单元连接,第一全局清空信号线中的信号用于触发各奇数行的移位单元同时开启各奇数行的像素单元,使各奇数行的像素单元同时泄放残留电荷;第二全局清空信号线,第二全局清空信号线分别和各偶数行的移位单元连接,第二全局清空信号线中的信号用于触发各偶数行的移位单元同时开启各偶数行的像素单元,使各偶数行的像素单元同时泄放残留电荷;
所述驱动电路还包括复位线、第一时钟线、第二时钟线、持续高电平线、持续低电平线,第一触发线和第二触发线;各行移位单元包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第一电容和第二电容,第一晶体管至第十晶体管均分别具有第一极和第二极,第一极为源极时第二极为漏极,第一极为漏极时第二极为源极,第一电容和第二电容均分别具有相对的第一端和第二端;
在各行移位单元中,第一晶体管的第二极、第二晶体管的第一极、第三晶体管的第一极、第六晶体管的第一极、第四晶体管的栅极、第五晶体管的栅极、第十晶体管的第二极和第二电容的第一端连接,第三晶体管的栅极、第七晶体管的栅极、第五晶体管的第一极和第一电容的第一端连接,第一电容的第二端与第四晶体管的第一极连接,第六晶体管的栅极和第九晶体管的栅极均连接至所述复位线,第二晶体管的第二极、第三晶体管的第二极、第五晶体管的第二极、第六晶体管的第二极、第七晶体管的第二极、第八晶体管的第二极和第九晶体管的第二极共同连接至所述持续低电平线;第i行移位单元中,第四晶体管的第二极、第七晶体管的第一极、第八晶体管的第一极、第九晶体管的第一极和第二电容的第二端连接且连接点为第i输出端,第i输出端用于输出第i行移位单元的输出信号至第i行像素单元;第一行移位单元中第一晶体管的栅极与第一触发线连接;在各行移位单元中,第一晶体管的第一极和第十晶体管的第一极共同连接至所述持续高电平线;第k-1行移位单元中第二晶体管的栅极与第k输出端连接,第k行移位单元中第一晶体管的栅极与第k-1输出端连接,k为大于等于2小于等于N的整数;第N行移位单元中,第二晶体管的栅极与第二触发线连接,或者,第二晶体管的栅极与所述持续低电平线连接,或者,第二晶体管的栅极与所述复位线连接;
在各奇数行的移位单元中,第一电容的第二端与第四晶体管的第一极共同连接至第一时钟线,第八晶体管的栅极连接至第二时钟线,第十晶体管的栅极与第一全局清空信号线连接;在各偶数行的移位单元中,第一电容的第二端与第四晶体管的第一极共同连接至第二时钟线,第八晶体管的栅极连接至第一时钟线,第十晶体管的栅极与第二全局清空信号线连接。
2.根据权利要求1所述的面阵传感器,其特征在于,所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管和第十晶体管均包括N型薄膜晶体管。
3.根据权利要求1所述的面阵传感器,其特征在于,第N行移位单元中,当第二晶体管的栅极与第二触发线连接时,第二触发线中的信号用于关闭第N行移位单元的输出;在第N行移位单元中,当第二晶体管的栅极与所述持续低电平线或所述复位线连接时,所述复位线中的部分信号用于关闭第N行移位单元的输出。
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