[发明专利]一种金丝皇菊组培再生的方法在审
申请号: | 201810777812.5 | 申请日: | 2018-07-16 |
公开(公告)号: | CN108849512A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 侯金艳;吴丽芳;陈雪 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 | 代理人: | 王亚洲 |
地址: | 230031 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 金丝 繁殖 组培 植物生长调节剂 生物技术领域 再生 表面消毒 技术支持 母本植株 遗传改良 再生植株 培养基 不定芽 规模化 外植体 伸长 茎段 株系 移栽 增殖 制备 接种 诱导 生根 培育 | ||
1.一种金丝皇菊组培再生的方法,其特征在于:包括以下制备步骤:
(1)取金丝皇菊茎段为外植体,并对其进行表面消毒;
(2)将步骤(1)中的茎段切段后,接种于不定芽诱导培养基中,光照条件下进行腋芽的萌发和不定芽的诱导培养;
(3)将步骤(2)中生长出不定芽丛的茎段转接于增殖培养基中,在光照条件下进行不定芽的增殖和伸长培养,至不定芽长至2-3cm;
(4)分离步骤(3)中的不定芽,并转接于生根培养基,在光照条件下进行不定根的诱导培养;
(5)在光照条件下,待幼苗长至3-4cm并伴有健壮根系和至少3-4片完整叶片时,进行驯化和移栽,最终获得完整的金丝皇菊再生植株。
2.根据权利要求1所述的金丝皇菊组培再生的方法,其特征在于:所述步骤(1)中茎段取田间具有优良农艺性状的金丝皇菊当年生幼嫩茎段。
3.根据权利要求1所述的金丝皇菊组培再生的方法,其特征在于:所述步骤(1)中茎段的表面消毒的具体方法为:茎段去叶后,于流水下冲洗10-20min,然后于无菌操作台中,用75%酒精进行表面消毒15-45s后,无菌水冲洗2-3遍;之后再经5%-20%过氧化氢溶液消毒3-8min,最后用无菌水冲洗4-6遍,消毒期间不停地摇动茎段。
4.根据权利要求1所述的金丝皇菊组培再生的方法,其特征在于:所述步骤(2)中用于接种的茎段切段是指将消毒后的茎段切成至少带有一个腋芽的长为0.5-1.5cm大小的切段。
5.根据权利要求1所述的金丝皇菊组培再生的方法,其特征在于:所述步骤(3)中光照培养时间为3-4周,不定芽诱导培养基为添加有0.2-2.0mg/L BAP、0.05-0.2mg/L KT、30g/L蔗糖和7.0g/L琼脂的MS培养基,pH为5.8。
6.根据权利要求1所述的金丝皇菊组培再生的方法,其特征在于:所述步骤(4)中光照培养时间为2-3周,不定芽增殖和伸长培养基为添加有0.2-1.0mg/L BAP、0.05-0.5mg/LIBA、30g/L蔗糖和7.0g/L琼脂的MS培养基,pH为5.8。
7.根据权利要求1所述的金丝皇菊组培再生的方法,其特征在于:所述步骤(5)中光照培养时间为3-4周,不定芽生根培养基为添加有0.1-2.0mg/L IBA、0.05-0.5mg/L NAA、20g/L蔗糖和6.5g/L琼脂的1/2MS培养基,pH为5.8。
8.根据权利要求1所述的金丝皇菊组培再生的方法,其特征在于:所述步骤(1)到步骤(5)中的培养条件为:温度为25±2℃,光照强度为2000-2200lx,光/暗周期为14h/10h。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院合肥物质科学研究院,未经中国科学院合肥物质科学研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810777812.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种毛新杨种苗的组织培养方法
- 下一篇:凤眼莲组织培养中初代培养的方法