[发明专利]平坦化工艺方法

权利要求书

1.一种平坦化工艺方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底和金属材料层，所述金属材料层设置于所述半导体衬底上方，所述半导体衬底和所述金属材料层内形成有金属栅极和侧墙，所述侧墙形成于所述金属栅极的两侧壁，所述金属栅极的第一部分形成于所述半导体衬底中，所述金属栅极的第二部分形成于所述金属材料层中；

采用第一研磨工艺研磨部分所述侧墙、所述金属栅极的第二部分，使余下的所述金属栅极的第二部分具有第一高度；和

对余下的所述金属栅极的所述第二部分和所述侧墙实施第二研磨工艺，暴露所述半导体衬底，所述第一研磨工艺和所述第二研磨工艺分别对所述金属材料层或所述金属栅极与对所述侧墙具有研磨速率比，所述第二研磨工艺的所述研磨速率比大于所述第一研磨工艺的所述研磨速率比。

2.根据权利要求1所述的平坦化工艺方法，其特征在于，所述研磨速率比为γ，在所述第一研磨工艺条件下，0.5≤γ≤4。

3.根据权利要求1所述的平坦化工艺方法，其特征在于，所述第二研磨工艺对所述金属材料层或所述金属栅极的研磨速率大于对所述侧墙的研磨速率。

4.根据权利要求3所述的平坦化工艺方法，其特征在于，在所述第二研磨工艺的条件下，γ≥10。

5.根据权利要求1所述的平坦化工艺方法，其特征在于，所述侧墙的材料包括SiN、SiON中的一种或两种的组合。

6.根据权利要求1所述的平坦化工艺方法，其特征在于，所述第一高度的范围为

7.根据权利要求1所述的平坦化工艺方法，其特征在于，所述第一研磨工艺的研磨速率范围为

8.根据权利要求1所述的平坦化工艺方法，其特征在于，所述第二研磨工艺的研磨速率范围为

9.根据权利要求1所述的平坦化工艺方法，其特征在于，所述金属栅极的第二部分的高度范围为

10.根据权利要求1所述的平坦化工艺方法，其特征在于，所述金属材料层的材料与所述金属栅极的材料均为钨。

11.根据权利要求1所述的平坦化工艺方法，其特征在于，在进行第一研磨工艺之前，还包括采用第一预研磨工艺研磨部分所述金属材料层。

12.根据权利要求11所述的平坦化工艺方法，其特征在于，所述第一预研磨工艺的研磨速率范围为

13.根据权利要求11所述的平坦化工艺方法，其特征在于，余下的所述金属材料层的顶部与所述侧墙顶部之间的距离范围为

14.根据权利要求11所述的平坦化工艺方法，其特征在于，在第一预研磨工艺之后，还包括：采用第二预研磨工艺研磨余下的所述金属材料层，暴露所述侧墙的顶部。

15.根据权利要求14所述的平坦化工艺方法，其特征在于，所述第二预研磨工艺的研磨速率范围、研磨选择比与所述第二研磨工艺的研磨速率范围、研磨选择比相同。