[发明专利]一种三维系统封装集成应用的硅转接板制作方法

权利要求书

1.一种三维系统封装集成应用的硅转接板制作方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤(一)、将第一玻璃片(2)水平固定放置在低阻硅晶圆(1)的上表面，对第一玻璃片(2)和低阻硅晶圆(1)进行阳极键合；

步骤(二)、在低阻硅晶圆(1)的下表面沉积介质层掩膜，对介质层掩膜进行图形化刻蚀；按照介质层掩膜的图形，对低阻硅晶圆(1)进行刻蚀，获得低阻硅柱(3)；去除低阻硅晶圆(1)下表面的介质层掩膜；

步骤(三)、将第二玻璃片(4)水平固定放置在低阻硅晶圆(1)的下表面；对第二玻璃片(4)和低阻硅晶圆(1)进行阳极键合；

步骤(四)、将第一玻璃片(2)和第二玻璃片(4)厚度减薄；

步骤(五)、在第一玻璃片(2)上表面和第二玻璃片(4)下表面均制备复合金属层，对复合金属层进行图形化刻蚀；

步骤(六)、以图形化刻蚀后的复合金属层为腐蚀掩膜，对第一玻璃片(2)和第二玻璃片(4)进行图形化刻蚀；得到电学互连引线窗口(7)和焊点接触窗口(8)；

步骤(七)、在第一玻璃片(2)上表面和电学互连引线窗口(7)处，铺满复合金属层；依次通过光刻、湿法刻蚀工艺对复合金属层进行图形化刻蚀，获得第一布线层(11)；

在第二玻璃片(4)下表面和焊点接触窗口(8)处，铺满复合金属层；依次通过光刻、湿法刻蚀工艺对复合金属层进行图形化刻蚀，获得第二布线层(12)；

步骤(八)、依次通过光刻、电镀工艺获得微凸点(13)。

2.根据权利要求1所述的一种三维系统封装集成应用的硅转接板制作方法，其特征在于：所述步骤(二)中，介质层掩膜采用氯化硅或氮化硅材料。

3.根据权利要求2所述的一种三维系统封装集成应用的硅转接板制作方法，其特征在于：所述步骤(二)中，采用光刻刻蚀工艺对介质层掩膜进行图形化刻蚀；采用ICP干法刻蚀工艺对低阻硅晶圆(1)进行刻蚀；采用湿法或干法工艺去除介质层掩膜。

4.根据权利要求3所述的一种三维系统封装集成应用的硅转接板制作方法，其特征在于：所述步骤(四)中，采用湿法腐蚀减薄抛光工艺对第一玻璃片(2)和第二玻璃片(4)减薄；减薄至15-30μm。

5.根据权利要求4所述的一种三维系统封装集成应用的硅转接板制作方法，其特征在于：所述步骤(五)中，采用磁控溅射或电子束蒸发的方法制备复合金属层；依次通过光刻、湿法刻蚀工艺对复合金属层进行图形化刻蚀。

6.根据权利要求5所述的一种三维系统封装集成应用的硅转接板制作方法，其特征在于：所述步骤(五)中，所述复合金属层包括Cr金属层和Au金属层；其中，Cr金属层分别与第一玻璃片(2)上表面和第二玻璃片(4)下表面贴附；Au金属层贴附在Cr金属层的外侧。

7.根据权利要求6所述的一种三维系统封装集成应用的硅转接板制作方法，其特征在于：所述Cr金属层厚度为20-50nm；Au金属层厚度为100-500nm。

8.根据权利要求7所述的一种三维系统封装集成应用的硅转接板制作方法，其特征在于：所述步骤(六)中，电学互连引线窗口(7)对应位于低阻硅柱(3)的上表面；焊点接触窗口(8)对应位于低阻硅柱(3)的下表面。

9.根据权利要求8所述的一种三维系统封装集成应用的硅转接板制作方法，其特征在于：所述步骤(七)中，采用磁控溅射或电子束蒸发的方法制备复合金属层；依次通过光刻、湿法刻蚀工艺对复合金属层进行图形化刻蚀。