[发明专利]一种双面发电异质结太阳能电池的制备方法及其叠瓦模组在审

专利信息
申请号: 201810779789.3 申请日: 2018-07-16
公开(公告)号: CN110729377A 公开(公告)日: 2020-01-24
发明(设计)人: 林朝晖;王树林;杨与胜;温跃忠;张超华 申请(专利权)人: 福建金石能源有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/048
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 362000 福建省泉州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 透明导电薄膜层 沉积 硅片背面 本征非晶硅薄膜 掺杂非晶硅薄膜 硅片正面 异质结太阳能电池 太阳能电池 沉积金属 传导电流 电池成本 降低功率 金属叠层 双面发电 银浆电极 银浆印刷 制绒清洗 转换效率 导电胶 电阻率 正背面 硅片 叠层 模组 瓦模 吸光 栅线 制备 背面 串联 替代
【权利要求书】:

1.一种双面发电异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述方法包括如下步骤:

提供制绒清洗后的N型单晶硅片;

在硅片背面依次沉积第一本征非晶硅薄膜层、第一掺杂非晶硅薄膜层;

在硅片正面依次沉积第二本征非晶硅薄膜层、第二掺杂非晶硅薄膜层;

在硅片正、背面分别沉积透明导电薄膜层;

在硅片背面透明导电薄膜层上沉积金属叠层;

在硅片正面透明导电薄膜层形成银浆电极栅线。

2.根据权利要求1所述一种双面发电异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述第一本征非晶硅薄膜层、第一参杂非晶硅薄膜层、第二本征非晶硅薄膜层和第二参杂非晶硅薄膜层通过等离子体增强化学气相沉积,所述第一本征非晶硅薄膜层厚度为3~10nm,第一掺杂非晶硅薄膜层厚度为3~10nm;第二本征非晶硅薄膜层厚度为3~10nm,第二掺杂非晶硅薄膜层厚度为3~10nm。

3.根据权利要求1所述一种双面发电异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述第一掺杂非晶硅薄膜层为n-型非晶硅薄膜层时,则第二掺杂非晶硅薄膜层为p-型非晶硅薄膜层;所述第一掺杂非晶硅薄膜层为p-型非晶硅薄膜层时,则第二掺杂非晶硅薄膜层为n-型非晶硅薄膜层。

4.根据权利要求1所述一种双面发电异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述透明导电薄膜层为ITO层或者掺杂其它元素的氧化铟层,厚度为30~200nm。

5.根据权利要求1所述一种双面发电异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述金属叠层厚度为100~1000nm,方阻小于0.1Ω/□,所述金属叠层包含金属导电层及金属保护层,其中金属导电层为Cu、Al、Ag、Ni中的至少一种,金属保护层为抗氧化性能的金属材料或金属导电氧化物材料。

6.根据权利要求1所述一种双面发电异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述透明导电薄膜层和金属叠层通过磁控溅射或蒸镀方式沉积。

7.根据权利要求1所述一种双面发电异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述金属叠层的图案由3~5组细栅组成,每组细栅由30~300条细栅组成,每组细栅的一端可以有主栅或无主栅,细栅宽度为0.5~5mm,细栅间距为0.5~5mm,主栅宽度为1~5mm,所述金属叠层图案通过沉积时MASK掩膜或通过印刷保护层湿法腐蚀方式形成,所述金属叠层占电池面积不超过50%。

8.根据权利要求1所述一种双面发电异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述银浆电极栅线的图案由3~5组细栅组成,细栅宽度为0.03~0.1mm,细栅间距为1~3mm,所述银浆电极栅线通过丝网印刷方式形成。

9.一种采用权利要求1所述双面发电异质结太阳能电池的叠瓦模组,其特征在于:包括背板体,设在背板体上的第一封装胶,设在第一封装胶上的至少一个如权利要求1所述硅片多等分切割后的太阳能电池,所述多等分切割方式与其电极栅线图案细栅分组数量一致,所述太阳能电池正背面通过导电胶相互重叠在一起实现串联,设在太阳能电池上第二封装胶,所述第一、第二封装胶包覆在该太阳能电池的四周,及设在第二封装胶上的前板体。

10.根据权利要求9所述一种双面发电异质结太阳能电池的叠瓦模组,其特征在于:所述相互重叠的太阳能电池的重叠宽度为0.5~3mm。

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