[发明专利]一种光罩的缺陷修复方法及光罩在审
申请号: | 201810779833.0 | 申请日: | 2018-07-16 |
公开(公告)号: | CN110727170A | 公开(公告)日: | 2020-01-24 |
发明(设计)人: | 林大伟;张健澄;吴苇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72;G03F1/38 |
代理公司: | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人: | 高伟;翟海青 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光罩 修复图案 修复 透光图案 遮光层 二次损伤 缺陷修复 光补偿 散射条 透光 合格率 | ||
本发明提供一种光罩的缺陷修复方法及光罩,所述方法包括:提供待修复光罩,所述待修复光罩包括遮光层以及形成在所述遮光层中的透光图案,所述透光图案包括具有缺陷的待修复图案;在所述待修复图案的外侧形成透光的若干散射条,以对所述待修复图案进行光补偿。本发明的方法过程更加容易控制,降低产生二次损伤缺陷的风险,可以提高修复合格率,降低修复循环次数。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体而言涉及一种光罩的缺陷修复方法及光罩。
背景技术
在半导体集成电路的制作过程中,需要采用光罩(Mask)定义电路图形的位置,然后通过光刻机对所投影的电路图形进行光刻,以在半导体衬底上形成所需器件,也即利用曝光单元将光罩上的图案转印至半导体衬底。
然而,光罩制备工艺很容易在所形成光罩中引入缺陷,这些缺陷导致光罩中图形存在误差,因此需要对光罩上的缺陷进行修复,以减少光罩中的图形误差,并获得合乎设计要求的光罩。目前通常采用两种修复方法进行修复,一种是对部分不透明缺陷(opaquedefect)进行刻蚀,以使修复后的图形符合设计,如图2A所示;另一种方法是通过在部分透明缺陷(clear defect)上沉积遮光层来进行修复,以使修复后的图形符合设计,如图2B所示。在光罩修复期间,刻蚀具有石英损伤的透光图案的边缘的方法通常用于修复石英损伤(quartz damage),但是随着技术节点的改进,刻蚀透光图案(例如,该透光图案对应为预定形成在衬底上的接触孔(contact)图案)的边缘的修复方法具有产生二次石英缺陷的高风险,在对修复后的光罩通过空间影像量测系统AIMS(Aerial Image Measurement System)进行检测,发现修复后的Aims测试结果改善不明显,从而修复失败。随着技术节点的不断改进,对修复控制的要求也越来越有挑战性,如果石英损伤覆盖全部的透光图案(clearpattern),刻蚀透光图案的边缘会变得越来越困难。
鉴于上述问题的存在,有必要提出一种新的光罩的缺陷修复方法及光罩。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
针对目前存在的问题,本发明一方面提供一种光罩的缺陷修复方法,包括:
提供待修复光罩,所述待修复光罩包括遮光层以及形成在所述遮光层中的透光图案,所述透光图案包括具有缺陷的待修复图案;
在所述待修复图案的外侧形成透光的若干散射条,以对所述待修复图案进行光补偿。
示例性地,所述散射条与相邻的所述待修复图案的侧边之间的区域不透光。
示例性地,在所述待修复图案的每个侧边外分别设置有至少一个所述散射条,其中,所述散射条与所述待修复图案的相应侧边平行设置。
示例性地,所述待修复图案的形状为方形,在所述待修复图案的每个侧边外分别设置一个所述散射条。
示例性地,所述散射条设置在所述待修复图案的每个边角的外侧,其中,每个所述散射条包括分别与所述待修复图案不同的侧边相对且平行的第一子散射条和第二子散射条。
示例性地,所述散射条呈折线形,其中,所述第一子散射条的一端点和所述第二子散射条的一端点相连。
示例性地,所述光罩用于利用曝光单元将图案转印到衬底,其中,所述散射条的图案不会转印至所述衬底。
示例性地,所述待修复光罩包括透光基底以及覆盖所述透光基底的遮光层,所述缺陷为所述待修复图案中的部分透光基底的表面损伤。
示例性地,所述透光基底为石英基底,所述缺陷包括石英损伤缺陷。
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G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
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