[发明专利]一种双面PERC太阳能电池结构及其制备工艺

权利要求书

1.一种双面PERC太阳能电池结构，其特征在于，所述电池的正面与背面钝化层结构对称，采用SiO₂/AlOx/SiNx/SiNy/SiOxNy/SiOx叠层结构，正面和背面SiO₂层通过热氧化或者臭氧氧化同时形成，SiO₂层厚度5-20nm；正面与背面AlOx层通过原子层沉积同时沉积形成，AlOx层厚度3-30nm，折射率1.60-1.65；

正面SiNx/SiNy/SiOxNy/SiOx叠层厚度分别为5-20nm、20-40nm、30-50nm和40-60nm；

背面SiNx/SiNy/SiOxNy/SiOx叠层厚度分别为15-30nm、30-60nm、40-70nm和60-90nm。

2.根据权利要求1所述的一种双面PERC太阳能电池结构，其特征在于，背面SiNx/SiNy/SiOxNy/SiOx叠层总厚度80-160nm。

3.根据权利要求1所述的一种双面PERC太阳能电池结构，其特征在于，正面SiNx/SiNy/SiOxNy/SiOx叠层的折射率分别为2.0-2.3、1.8-2.0、1.6-1.9和1.4-1.6；背面SiNx/SiNy/SiOxNy/SiOx叠层的折射率分别为2.0-2.3、1.8-2.0、1.6-1.9和1.4-1.6。

4.一种双面PERC太阳能电池结构的制备工艺，用于制备如权利要求1所述的双面PERC太阳能电池结构，其特征在于，所述制备工艺包括以下步骤：

1）、硅片在碱性或者酸性溶液中制绒后，清洗，烘干，绒面尺寸控制在5um以内；

2）、扩散炉中进行高温磷扩散，扩散温度750-850℃之间，压力50-200mbar，时间80-100min；

3）、背面链式刻蚀带速1.5-3.0 m/min，刻蚀深度1-6um，背表面反射率15-40%；

4）、扩散炉中进行热氧化，双面同时生长氧化层，氧化温度600-900℃之间，压力100-500mbar，时间10-60min之间；

5）、ALD沉积，双面同时沉积Al₂O₃；

6）、正面镀膜：通过PECVD依次沉积SiNx、SiNy、SiOxNy和SiOx；

7）、背面镀膜：通过PECVD依次沉积SiNx、SiNy、SiOxNy和SiOx；

8）、激光开窗，制备背面局部接触图案；

9）、丝网印刷及高温烧结。

5.根据权利要求4所述的一种双面PERC太阳能电池结构的制备工艺，其特征在于，步骤5）中，沉积温度150-300℃，压力50-200mTor，时间300-1500s。

6.根据权利要求4所述的一种双面PERC太阳能电池结构的制备工艺，其特征在于，步骤6）正面镀膜时，沉积SiNx压力50-500Pa、温度400-500℃、功率5000-6500W，SiH₄/NH₃=1/3至1/6、时间50-150s；沉积SiNy压力50-500Pa、温度400-500℃、功率6000-8000W，SiH₄/NH₃=1/5至1/10、时间200-500s；沉积SiOxNy压力50-500Pa、温度400-500℃、功率5000-6500W，SiH₄/NH₃/N₂O=1/3/3至1/5/5、时间100-300s；沉积SiOx压力50-500Pa、温度400-500℃、功率3000-5000W，SiH₄/N₂O=1/8至1/12、时间150-300s。

7.根据权利要求4所述的一种双面PERC太阳能电池结构的制备工艺，其特征在于，步骤7）背面沉积时，沉积SiNx压力50-500Pa、温度400-500℃、功率5000-6500W，SiH₄/NH₃=1/5至1/8、时间100-250s；沉积SiNy压力50-500Pa、温度400-500℃、功率6000-8000W，SiH₄/NH₃=1/5至1/12、时间300-600s；沉积SiOxNy压力50-500Pa、温度400-500℃、功率5000-6500W，SiH₄/NH₃/N₂O=1/5/5至1/8/8、时间200-400s；沉积SiOx压力50-500Pa、温度400-500℃、功率3000-5000W，SiH₄/N₂O=1/8至1/14、时间250-300s。