[发明专利]功率器件及其封装方法

权利要求书

1.一种功率器件，其特征在于：其包括基板及设置在所述基板上的芯片，所述芯片包括衬底和形成在所述衬底的导热组件，所述导热组件包括多个间隔形成在所述衬底下表面的沟槽、形成在所述沟槽内的第一金属层、形成在所述衬底上与所述基板相连的第二金属层，所述沟槽的深度小于所述衬底的厚度，所述第一金属层和所述第二金属层均与所述衬底形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于：所述功率器件还包括第一粘附层、第二粘附层及散热片，所述第二金属层通过所述第一粘附层与所述基板连接，所述基板通过所述第二粘附层与所述散热片连接。

3.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于：所述芯片还包括形成在所述衬底上与所述衬底的导电类型相同的外延层及形成在所述外延层的有源区，所述沟槽从所述衬底的下表面向所述衬底的上表面开设，所述沟槽底部到所述外延层的下表面之间的距离大于所述外延层的厚度。

4.一种根据权利要求1所述的功率器件的封装方法，其特征在于：

S1：提供一个芯片，所述芯片包括衬底；

S2：从所述衬底的下表面向所述衬底的上表面形成多个间隔排列的沟槽，所述沟槽的深度小于所述衬底的厚度；

S3：向所述沟槽内通入混合气体热退火形成第一金属层，所述第一金属层与所述衬底欧姆接触；

S4：对所述芯片背面金属化形成与所述衬底欧姆接触的第二金属层；

S5：将所述芯片与所述基板连接，完成所述芯片的封装。

5.根据权利要求4所述的功率器件的封装方法，其特征在于：在所述步骤S1之后，先进行所述芯片背面的减薄，再执行步骤S2。

6.根据权利要求4所述封装结构的制造方法，其特征在于：所述步骤S3中，先向所述沟槽内填充第一种金属，再通入混合气体。

7.根据权利要求6所述的功率器件的封装方法，其特征在于：所述混合气体为氮气和氢气，所述氢气的流量小于所述氮气流量的两倍。

8.根据权利要求4所述的功率器件的封装方法，其特征在于：所述步骤S4中，在所述衬底下表面加入第二种金属并金属化形成所述第二金属层。

9.根据权利要求4所述的功率器件的封装方法，其特征在于：完成所述步骤S4之后，在所述第二金属层表面形成一层薄膜层，再对所述芯片进行划片切割。

10.根据权利要求4所述的功率器件的封装方法，其特征在于：所述步骤S5中，在所述芯片背面连接有第一粘附层、第二粘附层及散热片，所述第二金属层通过所述第一粘附层与所述基板连接，所述基板通过所述第二粘附层与所述散热片连接，再进行所述芯片的焊接。