[发明专利]一种PERC工艺ALD铝材花篮的清洗方法

说明书

本发明公开了一种PERC工艺ALD铝材花篮的清洗方法，可针对PERC工艺ALD铝材花篮以及卡槽处的ALO进行清洗，具有优良的清洗效果，对铝材花篮损伤小、并能杜绝铝材花篮卡槽处EL发黑的效果。

技术领域

本发明公开了一种PERC工艺ALD铝材花篮的清洗方法，属于晶硅太阳电池生产领域。

背景技术

常规晶硅太阳电池工艺路线为制绒→扩散→刻蚀→热氧化→PECVD→丝网印刷，经此工艺路线，常规晶硅太阳电池转换效率在18％-19％之间，但随着对高转换效率太阳电池片的需求，常规太阳电池工艺路线已不能满足电池片转换效率的提升。为了提升晶硅太阳电池的转换效率，PERC电池(Passivated Emitterand Rear Cell)技术是用于的P型太阳能电池的一项革新技术，此技术工艺路线为制绒→扩散→刻蚀→热氧化→PECVD→ALD→PECVD→激光开槽→丝网印刷，PERC电池与常规电池最大的区别在背表面介质膜钝化，即增加了ALD原子层沉积，并采用激光蚀刻实现电池片丝网印刷时局域金属接触，从而可以大大降低背表面复合速度，同时提升了背表面的光反射。从目前国内量产情况来看，使用PERC电池技术可以使目前晶硅太阳电池效率从18-19％提升至20-22％之间。

PERC电池技术在ALD工序时，采用的是ALD原子层沉积方式，通过TMA、H2O进行反应，在硅片表面沉积一层AL2O3薄膜，AL2O3薄膜含有高密度的固定负电荷，形成的电场可以有效减少表面的电子浓度，从而对p型表面有极好的场钝化效应，减少表面复合，提高电池Voc，同时，介电层优异的长波反射，可增加基体对长波段的吸收，提高电池Isc，实现转换效率的提升。硅片在ALD工序时，首先是将硅片插入铝材花篮中，然后将插入铝材花篮中硅片送进ALD设备腔体进行沉积AL2O3，铝材花篮随着使用次数的增加，铝材花篮表面以及铝材花篮卡口处会不可避免的沉积上一层ALO薄膜、ALO粉末等，如果长时间不清洗，会导致硅片在铝材花篮卡槽处形成卡槽印，做成电池片成品时，经EL测试，此处因复合较大显示为发黑状态，影响电池片性能。目前，国内PERC工艺ALD工序时，采用铝材花篮作为硅片承载工具，都没有一个有效的清洗方法，因此如何实现对PERC工艺ALD铝制花篮的有效清洗是目前面临的一个难题。

发明内容

针对上述技术问题，本发明提供一种PERC工艺ALD铝材花篮的清洗方法，可针对PERC工艺ALD铝材花篮以及卡槽处的ALO进行清洗，具有优良的清洗效果，对铝材花篮损伤小、并能杜绝铝材花篮卡槽处EL发黑的效果。

为了实现发明目的，本发明采用如下技术方案：

一种PERC工艺ALD铝材花篮的清洗方法，包括如下步骤：

A、将铝材花篮放入氢氧化钠槽体，进行鼓泡清洗；

B、步骤A氢氧化钠清洗完成后将铝材花篮放入纯水中，进行鼓泡溢流清洗；

C、将步骤B水洗完成后的铝材花篮放入超声波清洗槽体里，用酒精与纯水混合液进行超声波清洗；

D、将步骤C超声波清洗完成的铝制花篮放入纯水中，进行鼓泡溢流清洗；

E、将步骤D完成后的铝制花篮取出放入烘箱烘干，进行烘干。

作为优选，步骤A中氢氧化钠浓度为5±2％，鼓泡清洗时间15±3min。可以最大程度上减少对铝材花篮以及铝材花篮卡口的腐蚀，并能达到洗掉铝材花篮表面以及铝材花篮卡口处的ALO薄膜、ALO粉末。

作为优选，步骤B中纯水鼓泡溢流清洗2±1h。该纯水鼓泡溢流清洗2±1h，使纯水通过鼓泡作用，可以有效的将铝材花篮表面以及卡口处清洗为PH显示中性。