[发明专利]通过催化脱氢偶联以无卤素方式合成氨基硅烷的方法

权利要求书

1.一种沉积含硅的膜的方法，此方法包括：

将不含卤素和不含氨基卤化物的前体化合物的蒸气引入反应器中，其中前体化合物具有式R¹R²NSi₂H₅或R¹R²NSi₃H₇，其中R¹和R²独立地选自H、直链或支化的C₁-C₆烷基、直链或支化的C₁-C₈链烯基、直链或支化的C₁-C₈炔基、C₆-C₁₀芳基、直链或支化的C₁-C₆烷基醚、甲硅烷基、三甲基甲硅烷基、或者被直链或支化C₁-C₆烷基取代的甲硅烷基；

并且采用气相沉积方法将至少一部分的所述前体化合物沉积到基材上以形成含硅的膜，

其中不含卤素和不含氨基卤化物的前体化合物是如下制备的：使反应物R¹R²NH与Si₂H₆或Si₃H₈在过渡金属催化剂的存在下接触以形成反应混合物，并从反应混合物分离不含卤素和不含氨基卤化物的前体化合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中不含卤素和不含氨基卤化物的前体化合物是R¹R²NSi₂H₅。

3.根据权利要求2所述的方法，其中不含卤素和不含氨基卤化物的前体化合物是(ⁱPr)₂NSi₂H₅。

4.根据权利要求1所述的方法，其中不含卤素和不含氨基卤化物的前体化合物是R¹R²NSi₃H₇。

5.根据权利要求4所述的方法，其中不含卤素和不含氨基卤化物的前体化合物是Bu₂NSi₃H₇。

6.根据权利要求5所述的方法，其中不含卤素和不含氨基卤化物的前体化合物是tBu₂NSi₃H₇。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中气相沉积方法是选择性气相沉积方法。

8.根据权利要求7所述的方法，其中还包括将共反应剂引入反应器中。

9.根据权利要求8所述的方法，其中共反应剂是O₂。

10.根据权利要求9所述的方法，其中气相沉积方法是热方法。

11.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中气相沉积方法是原子层沉积方法。

12.根据权利要求11所述的方法，其中还包括将共反应剂引入反应器中。

13.根据权利要求12所述的方法，其中共反应剂是O₂。

14.根据权利要求13所述的方法，其中气相沉积方法是热方法。