[发明专利]低温升的磁芯

说明书

本申请公开了一种低温升的磁芯，包括一体成型的底板、中柱和两边柱，所述底板为矩形结构，所述中柱凸伸于所述底板顶面的中心，两所述边柱分别凸伸于所述底板顶面长度方向的两端，所述边柱的一端向内凸伸有凸伸部，所述底板背离所述中柱的底面凹设有成型凹槽，所述成型凹槽与所述中柱同心设置。本发明的低温升的磁芯底部设置成型凹槽，便于制坯时对中柱单独施加压力，使得坯体整体密度一直，避免烧结过程中因密度不均匀造成的变形等情况，同时边柱本身设计为非对称称结构，使得该低温升的磁芯具有良好的散热性能。

技术领域

本申请属于新能源充电技术领域，特别是涉及一种低温升的磁芯。

背景技术

磁芯是由各种氧化铁混合物组成的烧结磁性金属氧化物，现有技术中，铁氧体磁芯用于各种电子设备的线圈和变压器中。例如，锰锌铁氧体是典型的磁芯体材料，且具有高磁导率和高磁通密度的特点，在低于1MHz的频率时具有较低损耗的特性。磁芯的材料和结构是影响磁芯性能的重要因素。现有的常用锰锌铁氧体E型磁芯(见图1)，边柱1为对称结构，磁芯窗口面积小，散热效果一般；另外，由于中柱2和边柱的表面积不同，造成压制成型过程中，中柱和边柱所受压强不同，即中柱和边柱的压实密度不同，在烧结过程中，易出现变形等情况，现有技术中，只能减小中柱直径来改善这一情况，但导致磁芯厚度变大，充电设备的厚度必然增大。

发明内容

本发明的目的在于提供一种低温升的磁芯，以克服现有技术中的不足。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

本申请实施例公开了一种低温升的磁芯，包括一体成型的底板、中柱和两边柱，所述底板为矩形结构，所述中柱凸伸于所述底板顶面的中心，两所述边柱分别凸伸于所述底板顶面长度方向的两端，所述边柱的一端向内凸伸有凸伸部，两所述边柱的凸伸部位于所述底板的同一侧，所述底板背离所述中柱的底面凹设有成型凹槽，所述成型凹槽与所述中柱同心设置。

优选的，在上述的低温升的磁芯中，所述成型凹槽的截面尺寸不超过所述中柱的截面尺寸，所述成型凹槽的截面尺寸不小于所述中柱的截面尺寸的一半。

优选的，在上述的低温升的磁芯中，所述边柱包括无缝连接的直线段和弧线段，所述直线段和弧线段的外壁分别与所述底板对应的端面齐平，所述弧线段内壁为弧面，所述凸伸部设置于所述弧线段背离所述直线段的一端，所述弧线段与所述凸伸部的连接处圆滑过渡。

优选的，在上述的低温升的磁芯中，所述底板处于两所述边柱之间的两侧面的顶部分别向内凹设有倒模部。

优选的，在上述的低温升的磁芯中，所述倒模部与竖直方向呈8°夹角设置，所述倒模部与所述底板的顶面之间圆角连接，所述倒模部的高度为2.2mm。

与现有技术相比，本发明的优点在于：

本发明的低温升的磁芯的底板背部凹设有成型凹槽，便于对中柱施加单独的成型压力，保证磁芯整体密度的均匀，从而减少烧结过程中变形等不良情况的出现，同时，可以加大中柱的直径，从而减小磁芯整体的厚度，实现充电设备偏平化；

边柱本身为非对称结构，加大磁芯窗口面积，改善散热效果，从而降低充电设备使用中的温升。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1所示为现有技术中磁芯的结构示意图。

图2所示为本发明具体实施例中低温升的磁芯的结构示意图。

图3所示为本发明具体实施例中低温升的磁芯的仰视图。