[发明专利]显示基板及其制造方法和显示装置在审
申请号: | 201810782998.3 | 申请日: | 2018-07-17 |
公开(公告)号: | CN109065569A | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 张骏 | 申请(专利权)人: | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210033 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素定义层 疏水性材料层 显示基板 堤坝 通孔 第一金属层 疏水性表面 阳极 凹槽内壁 衬底基板 显示装置 上表面 制造 亲水性材料层 亲水性材料 疏水性材料 活性硅烷 制造成本 图案化 围拢 开口 铺设 开发 | ||
本发明公开了一种显示基板,包括:衬底基板、在衬底基板上由第一金属层图案化形成的阳极、位于第一金属层上的像素定义层、铺设在像素定义层上的疏水性材料层;像素定义层上设有多个通孔,通孔底部为阳极,疏水性材料层在通孔底部的对应位置设有开口;像素定义层和疏水性材料层构成堤坝,堤坝围拢形成凹槽,堤坝上表面和凹槽内壁均为疏水性表面;本发明的显示基板采用了常用的亲水性材料制造像素定义层,无需开发新的疏水性材料,通过活性硅烷对亲水性材料层进行处理使其转变为疏水性材料层,达到堤坝上表面和凹槽内壁均为疏水性表面的效果,开发成本和制造成本均较低;本发明还公开了显示基板的制造方法和显示装置。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制造方法和显示装置。
背景技术
目前市面上成熟的显示技术为LCD(液晶显示器)技术,而OLED(有机电致发光显示器)、QLED(量子点电致发光显示器)等新型显示技术以自发光所带来的高对比度、高色域、宽视角、低能耗、低反应时间以及其更轻薄的优势被大家所关注。
市面上量产的OLED显示器以小尺寸为主,大尺寸数量较少,限制大尺寸OLED显示器的主要因素为OLED器件的制备。目前已量产的OLED显示器件均使用蒸镀的方式来制备OLED器件,而如图1所示,蒸镀方式由于蒸镀掩膜版02的使用无法制作高PPI(每英寸像素数)显示器,且在大尺寸显示器制作过程中,蒸镀掩膜版02过大会出现弯曲现象,影响蒸镀效果造成混色。
喷墨打印(IJP,Ink-jet Print)技术是解决此问题的有效途径,其无需使用掩膜版,由软件控制精确打印出设计图案。且对于QLED显示器蒸镀的温度会影响量子点特性,故无法使用蒸镀的方式进行制作QLED器件,喷墨打印技术同样是最适用于QLED器件的制备方式;
如图2所示,喷墨打印技术通过软件精确控制喷嘴03,喷出墨水落在指定位置,烘烤成膜后形成预设图案。故需要设计堤坝041(Bank)对各子像素区域进行隔离,而堤坝041的材料要求疏水,保证滴落的墨水均在堤坝041围成的凹槽042内。目前OLED显示器使用的像素定义层均为亲水性材料,无法直接构成喷墨打印制程的OLED或者QLED显示器所需的堤坝041。
各大材料厂商均在开发疏水性堤坝材料,但既要满足疏水要求,又要满足OLED、QLED显示需要的低逸气率(Outgas)等特性,比较困难,目前市面上无量产的疏水性堤坝材料。如图3~图6所示,目前有厂商使用亲水性堤坝材料051,在其中掺杂疏水小分子052,在涂布完成预烘烤时,疏水小分子052扩散到表面,形成疏水层053,后进行曝光显影,以形成堤坝上表面043疏水的堤坝041。但堤坝围拢形成的凹槽内壁044为亲水性表面,滴落的墨水落在斜边时无法滑下,影响成膜效果。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明公开了一种显示基板,显示基板中堤坝上表面和凹槽内壁均为疏水性表面,优化了喷墨打印的成膜效果。
本发明提供的技术方案如下:
本发明公开了一种显示基板,包括:
衬底基板;
位于衬底基板上的阳极;
位于阳极上的像素定义层,所述像素定义层上设有多个通孔,通孔连接所述阳极;
位于所述像素定义层上的疏水性材料层,所述疏水性材料层在通孔底部的对应位置设有开口;
所述像素定义层和疏水性材料层构成堤坝,所述堤坝围拢形成凹槽,堤坝上表面和凹槽内壁均为疏水性表面。
优选地,所述疏水性材料层包括二氧化硅,所述二氧化硅经活性硅烷处理后具有疏水性。
优选地,所述活性硅烷包括氯硅烷或六甲基二硅胺烷。
优选地,所述像素定义层的上表面和所述通孔内壁为亲水性表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的