[发明专利]结合真空的硬掩模工艺和装置在审
| 申请号： | 201810783756.6 | 申请日： | 2015-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN109216170A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·马克斯;理查德·A·戈奇奥;丹尼斯·M·豪斯曼;阿德里安·拉瓦伊;托马斯·尼斯利;斯利士·K·雷迪;巴德里·N·瓦拉达拉简;阿尔图尔·科利奇;乔治·安德鲁·安东内利 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/3213;G03F7/16;G03F7/004;G03F1/76;C23C18/18;C23C18/16;C23C18/14 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 含金属膜 图案化剂 图案化 硬掩模 有机金属化合物 方法和装置 光致抗蚀剂 金属硬掩模 金属掩模 纳米图案 真空环境 感光性 金属盐 抗蚀剂 分辨率 波长 衬底 光刻 无光 沉积 半导体 金属 敏感 暴露 | ||
1.一种形成金属掩模的无光致抗蚀剂的方法，其包括：
在半导体衬底上沉积EUV敏感的含金属膜；以及
在真空环境中通过波长范围为10至20纳米之间的EUV曝光直接以低于30纳米的分辨率图案化所述含金属膜；以及
显影图案以形成所述金属掩模。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含金属膜是金属盐。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述金属盐是金属卤化物。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述金属是锡(Sn)。
5.一种用于进行无光致抗蚀剂的金属掩模的形成的装置，所述装置包括：
含金属膜沉积模块；
含金属膜图案化模块；
连接所述沉积模块和所述图案化模块的真空传送模块。
6.根据权利要求5所述的装置，其中：
所述沉积模块包括用于沉积感光性金属卤化物膜或有机金属化合物膜的反应器室；以及
所述图案化模块包括具有低于30nm的波长的辐射源的光刻工具。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述图案化模块是EUV光刻工具。
8.根据权利要求6所述的装置，其中，所述图案化模块具有选自由光子、电子、质子、离子和中性物质组成的组中的图案化剂的源，使得所述含金属膜能通过暴露于所述图案化剂进行图案化。
9.根据权利要求6所述的装置，其还包括用于将衬底从所述图案化模块传送到所述真空传送模块的入装载锁，以及用于将衬底从所述真空传送模块传送到所述图案化模块的出装载锁；且其中所述出装载锁用作除气模块。
10.根据权利要求6所述的装置，其还包括控制器，该控制器包括用于进行无光致抗蚀剂的金属掩模形成的指令，所述指令包括用于以下操作的指令：
在所述含金属膜沉积模块中，在半导体衬底上沉积EUV敏感的含金属膜；
将所述衬底在真空下传送到所述含金属膜图案化模块；以及
在所述含金属膜图案化模块中，在真空环境中通过EUV曝光直接图案化所述含金属膜以形成所述金属掩模。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
