[发明专利]阵列基板有效

专利信息
申请号: 201810784035.7 申请日: 2018-07-17
公开(公告)号: CN108803176B 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 陈铭耀;黄国有;洪晧智 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 张福根;冯志云
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 阵列
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,具有一显示区及一电路区,该阵列基板包括:

一金属层;

一平坦层,位于该金属层上;

一第一保护层,位于该平坦层上,该第一保护层具有一开口部,该开口部位于该显示区内,且该开口部露出该平坦层而未露出该金属层;以及

一导电层,位于该第一保护层上并填入该开口部中,以覆盖该开口部露出的该平坦层;

还包括:

一像素阵列,位于该显示区内,其中该像素阵列包括:

一数据线及一扫描线;

一主动元件,电性连接该数据线及该扫描线,该主动元件包括一栅极、一氧化物半导体层、一源极及一漏极,该氧化物半导体层位于该栅极之上,该源极及该漏极电性连接于该氧化物半导体层;以及

一像素电极,位于该第一保护层上;

其中该平坦层具有一接触窗开口,该第一保护层覆盖该接触窗开口的侧壁,该像素电极通过该接触窗开口与该漏极电性连接。

2.如权利要求1所述的阵列基板,其中该平坦层的材料包括有机材料,该第一保护层的材料包括无机材料。

3.如权利要求1所述的阵列基板,其中该导电层的水气穿透率≤10-1g/m2-24hr。

4.如权利要求1所述的阵列基板,其中该导电层为该像素电极。

5.如权利要求1所述的阵列基板,还包括一第二保护层,该第二保护层覆盖该氧化物半导体层。

6.如权利要求1所述的阵列基板,其中该像素阵列包括一穿透区域及一反射区域,该开口部位于该穿透区域内,该接触窗开口位于该反射区域内。

7.如权利要求1所述的阵列基板,该像素阵列还包括一共用电极,该共用电极位于该平坦层与该第一保护层之间。

8.如权利要求1所述的阵列基板,其中该金属层由一金属材料层图案化而形成,该金属层包括该数据线、该源极与该漏极。

9.如权利要求8所述的阵列基板,其中该开口部至少部分与该数据线重叠。

10.如权利要求1所述的阵列基板,其中该开口部的面积与该第一保护层的总面积的比例≤10%。

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