[发明专利]阵列基板有效
申请号: | 201810784035.7 | 申请日: | 2018-07-17 |
公开(公告)号: | CN108803176B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 陈铭耀;黄国有;洪晧智 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张福根;冯志云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 | ||
1.一种阵列基板,具有一显示区及一电路区,该阵列基板包括:
一金属层;
一平坦层,位于该金属层上;
一第一保护层,位于该平坦层上,该第一保护层具有一开口部,该开口部位于该显示区内,且该开口部露出该平坦层而未露出该金属层;以及
一导电层,位于该第一保护层上并填入该开口部中,以覆盖该开口部露出的该平坦层;
还包括:
一像素阵列,位于该显示区内,其中该像素阵列包括:
一数据线及一扫描线;
一主动元件,电性连接该数据线及该扫描线,该主动元件包括一栅极、一氧化物半导体层、一源极及一漏极,该氧化物半导体层位于该栅极之上,该源极及该漏极电性连接于该氧化物半导体层;以及
一像素电极,位于该第一保护层上;
其中该平坦层具有一接触窗开口,该第一保护层覆盖该接触窗开口的侧壁,该像素电极通过该接触窗开口与该漏极电性连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其中该平坦层的材料包括有机材料,该第一保护层的材料包括无机材料。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其中该导电层的水气穿透率≤10-1g/m2-24hr。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其中该导电层为该像素电极。
5.如权利要求1所述的阵列基板,还包括一第二保护层,该第二保护层覆盖该氧化物半导体层。
6.如权利要求1所述的阵列基板,其中该像素阵列包括一穿透区域及一反射区域,该开口部位于该穿透区域内,该接触窗开口位于该反射区域内。
7.如权利要求1所述的阵列基板,该像素阵列还包括一共用电极,该共用电极位于该平坦层与该第一保护层之间。
8.如权利要求1所述的阵列基板,其中该金属层由一金属材料层图案化而形成,该金属层包括该数据线、该源极与该漏极。
9.如权利要求8所述的阵列基板,其中该开口部至少部分与该数据线重叠。
10.如权利要求1所述的阵列基板,其中该开口部的面积与该第一保护层的总面积的比例≤10%。
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