[发明专利]一种数据读取方法、装置、设备及可读存储介质

说明书

本发明公开了一种数据读取方法，包括：接收数据读取请求，并利用预设有硬判决参考电压的上限估算法获取电压信号；计算各个闪存单元阈值电压的偏移量，并利用各个闪存单元对应的偏移量对电压信号进行补偿，获得补偿电压信号；获取各个闪存单元对应的偏移值，并利用各个闪存单元对应的偏移值对补偿电压信号进行修复，获得修复电压信号；按照编码规则，对修复电压信号进行译码，获得目标数据。可在保障数据可靠性的情况下，加快数据读取速度，降低数据读取的时延，进一步提升计算机系统的处理速度。本发明还公开了一种数据读取装置、设备及可读存储介质，具有相应的技术效果。

技术领域

本发明涉及存储技术领域，特别是涉及一种数据读取方法、装置、设备及可读存储介质。

背景技术

闪存(Flash memory)是一种具有许多理想特性的半导体计算装置内存，包括NOR闪存和NAND闪存两种。其中，NAND闪存，由于其非易失性特征以及低功耗、高存储容量、便于携带等优点，其应用领域从个人用电子设备延伸到了大规模数据处理中心。由于制造工艺的不断演进，闪存设备现已采用1×nmCMOS晶体管，以及更快的读写进程，使得每个闪存单元可以存储超过1bit的数据，称之为多级闪存(Multi-Level Cell，MLC)存储技术。

由于CMOS晶体管的特殊结构，在闪存存储密度增加的同时，各个相邻存储单元之间的寄生电容耦合效应(cell-to-cell interference，CCI)也在增加。CCI是引起闪存阈值电压分布发生改变的最主要干扰因素，进一步引起数据存储可靠性问题、增加信道检测难度以及闪存控制器中编译码器的设计复杂度。

现有的，检测闪存单元阈值电压采用常规后补偿的方式来消除CCI，常规后补偿检测算法策略实际使用后补偿技术有两个问题。一、是读放大，由于其他页干扰数据应该首先被读出，这样实际要读出页的个数就会增加，这就是读放大。读放大会导致闪存控制器和闪存芯片读时延增加，以及增加闪存芯片和控制器之间的负载。二、细密纹理检测，为了提供精度更高，获得更有效的补偿值，利用细密纹理检测技术，例如闪存存储数据为2比特/单元(bit/cell)，需要用4比特或更高检测精度来读取每个单元阈值电压，这样会增加片外通信链路负载，降低读速度，同样会造成比较大的时延。

综上所述，如何有效地解决内存数据读取速度等问题，是目前本领域技术人员急需解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种数据读取方法、装置、设备及可读存储介质，以实现提高数据读取速度，降低时延。

为解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：

一种数据读取方法，包括：

接收数据读取请求，并利用预设有硬判决参考电压的上限估算法获取电压信号；其中，所述电压信号包括与所述数据读取请求对应的各个闪存单元的阈值电压；

计算各个闪存单元阈值电压的偏移量，并利用各个闪存单元对应的偏移量对所述电压信号进行补偿，获得补偿电压信号；

获取各个闪存单元对应的偏移值，并利用各个闪存单元对应的偏移值对所述补偿电压信号进行修复，获得修复电压信号；

按照编码规则，对所述修复电压信号进行译码，获得目标数据。

优选地，所述获取各个闪存单元对应的偏移值，包括：

计算各个干扰单元的先验信息；

利用各个干扰单元的先验信息计算理论干扰量；

计算各个闪存单元阈值电压的实际干扰量；

利用高斯拟合法，确定所述理论干扰量与所述实际干扰量的差值分布的概率密度函数；

利用所述概率密度函数，确定各个闪存单元对应的偏移值。