[发明专利]电磁屏蔽组件及显示装置

说明书

本发明实施例是关于一种电磁屏蔽组件及显示装置，涉及电磁屏蔽技术领域，主要解决的技术问题是现有加固显示器中氧化铟锡ITO薄膜镜面反射率较高。主要采用的技术方案为：一种电磁屏蔽组件包括：氧化铟锡电磁屏蔽膜层；温度调节单元用于调节所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层的温度。通过对氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热方式降低其的阻值，在具备相同电磁屏蔽的性能下，从而可以减小氧化铟锡电磁屏蔽膜层，相对于现有技术，电磁屏蔽组件的氧化铟锡电磁屏蔽膜层的厚度较薄，镜面反射率较低。

技术领域

本发明实施例涉及电磁屏蔽技术领域，特别是涉及一种电磁屏蔽组件及显示装置。

背景技术

氧化铟锡ITO一种N型氧化物半导体，氧化铟锡ITO薄膜可应用于军用的加固显示器中，氧化铟锡ITO薄膜通过镀膜技术形成电磁屏蔽层，可以起到电磁屏蔽的作用。

为了保证氧化铟锡ITO薄膜起到良好的电磁屏蔽的作用，氧化铟锡ITO薄膜需要具备一定的厚度，然后，随着氧化铟锡ITO薄膜厚度的增加，会导致氧化铟锡ITO薄膜镜面反射率的增高，降低了加固显示器的显示效果。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种电磁屏蔽组件及显示装置，主要解决的技术问题是现有加固显示器中氧化铟锡ITO薄膜镜面反射率较高。

为达到上述目的，本发明实施例主要提供如下技术方案：

一方面，本发明的实施例提供一种电磁屏蔽组件，包括：

氧化铟锡电磁屏蔽膜层；

温度调节单元，用于调节所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层的温度。

本发明实施例的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

可选的，前述的电磁屏蔽组件，其中还包括：

温度检测单元，与所述温度调节单元电连接，所述温度调节单元根据所述温度检测单元检测的温度进行调温。

可选的，前述的电磁屏蔽组件，其中所述温度检测单元的温度感测端设置于所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层，用于检测所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层的膜层温度；

若所述膜层温度小于第一温度，所述温度调节单元对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热；

若所述膜层温度大于第二温度，所述温度调节单元停止对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热，所述第二温度大于等于所述第一温度。

可选的，前述的电磁屏蔽组件，其中所述温度检测单元的温度感测端用于检测环境温度；

若所述环境温度小于第三温度，所述温度调节单元对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热；

若所述环境温度大于第四温度，所述温度调节单元停止对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热，所述第三温度小于等于所述第四温度。

可选的，前述的电磁屏蔽组件，其中所述第三温度在45-55摄氏度。

可选的，前述的电磁屏蔽组件，其中还包括：

电阻检测单元，所述电阻检测单元的电阻检测检测端与所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层电连接，所述电阻检测单元的电阻输出端与所述温度调节单元电连接，所述温度调节单元根据所述电阻检测单元检测的电阻进行调温，使所述电阻检测单元检测的电阻调节至预定阻值范围内。

可选的，前述的电磁屏蔽组件，其中若所述电阻检测单元检测的电阻大于第一阻值，所述温度调节单元对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热；

若所述电阻检测单元检测的电阻小于第二阻值，所述温度调节单元停止对所述氧化铟锡电磁屏蔽膜层加热，所述第二阻值小于等于所述第一阻值。

可选的，前述的电磁屏蔽组件，其中还包括：