[发明专利]研磨垫修整方法在审
申请号: | 201810785733.9 | 申请日: | 2018-07-17 |
公开(公告)号: | CN110722457A | 公开(公告)日: | 2020-01-24 |
发明(设计)人: | 唐强 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | B24B53/017 | 分类号: | B24B53/017 |
代理公司: | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨垫 修整 研磨 下压力 修整盘 研磨区 研磨垫修整器 使用寿命 逐渐降低 均一性 研磨液 变差 去除 施加 | ||
1.一种研磨垫修整方法,其特征在于,利用一研磨垫修整器的修整盘修整研磨垫的研磨区,其中,在修整所述研磨区期间,沿所述研磨垫的中心朝向边缘的方向,所述修整盘施加在所述研磨区上的下压力逐渐降低。
2.如权利要求1所述的研磨垫修整方法,其特征在于,所述研磨区包括沿所述研磨垫的中心向边缘的方向依次连接的第一研磨区、第二研磨区以及第三研磨区,修整所述研磨区包括:
所述修整盘以第一下压力在所述第一研磨区进行第一往复运动;
所述修整盘以第二下压力在所述第二研磨区进行第二往复运动;以及
所述修整盘以第三下压力在所述第三研磨区进行第三往复运动;
其中,所述第一下压力大于所述第二下压力,所述第二下压力大于所述第三下压力。
3.如权利要求2所述的研磨垫修整方法,其特征在于,所述修整盘依次进行所述第一往复运动、所述第二往复运动和所述第三往复运动。
4.如权利要求2所述的研磨垫修整方法,其特征在于,所述第一下压力的范围为5.05psi~5.15psi,所述第二下压力的范围为4.95psi~5.05psi,所述第三下压力的范围为4.85psi~4.95psi。
5.如权利要求2所述的研磨垫修整方法,其特征在于,所述第一往复运动持续的时间为2.8秒~3.2秒,所述第二往复运动持续的时间为2.5秒~2.8秒,所述第三往复运动持续的时间为2.2秒~2.5秒。
6.如权利要求2所述的研磨垫修整方法,其特征在于,所述第一研磨区、所述第二研磨区以及所述第三研磨区在所述研磨区的占比均相等。
7.如权利要求2至6任一项所述的研磨垫修整方法,其特征在于,所述修整盘在一旋转臂的带动下进行所述第一往复运动、所述第二往复运动以及所述第三往复运动,所述旋转臂的转动速率为45~55转每分钟;和/或,所述研磨垫以位于所述研磨垫中心的法线为轴进行旋转,所述研磨垫的旋转速率为100~110转每分钟。
8.如权利要求2至6任一项所述的研磨垫修整方法,其特征在于,所述研磨垫修整方法还包括:
在修整所述研磨区之前,在所述研磨区进行预修整,在所述预修整期间,所述修整盘施加在所述研磨区上的下压力为恒定值;和/或
在修整所述研磨区之后,在所述研磨区进行后修整,在所述后修整期间,所述修整盘施加在所述研磨垫上的下压力为恒定值。
9.如权利要求8所述的研磨垫修整方法,其特征在于,所述预修整持续的时间为10秒~12秒,所述后修整持续的时间为8秒~10秒。
10.如权利要求8所述的研磨垫修整方法,其特征在于,所述研磨垫修整方法还包括:
对所述研磨区进行所述后修整之后,在所述第二研磨区和所述第三研磨区进行补充修整,在所述补充修整期间,所述修整盘施加在所述研磨垫上的下压力为恒定值。
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