[发明专利]电感耦合装置、工艺腔室和半导体处理设备

权利要求书

1.一种电感耦合装置，用于在工艺腔室内激发并维持等离子体，所述电感耦合装置包括射频线圈和射频电源，所述射频电源经由匹配器与所述射频线圈的输入端电连接，其特征在于，所述电感耦合装置还包括直流电源，所述直流电源与所述射频线圈的输入端电连接，以使得所述射频线圈能够产生静磁场，所述静磁场用于提高等离子体密度和自由基密度；

所述电感耦合装置还包括第一滤波器和第二滤波器；其中，

所述直流电源的第一极经由所述第一滤波器与所述射频线圈的输入端电连接；

所述直流电源的第二极经由所述第二滤波器与所述射频线圈的输出端电连接。

2.根据权利要求1所述的电感耦合装置，其特征在于，所述第一滤波器包括第一电感，所述第二滤波器包括第二电感；其中，

所述第一电感的第一端与所述直流电源的第一极电连接，所述第一电感的第二端与所述射频线圈的输入端电连接；

所述第二电感的第一端与所述射频线圈的输出端电连接，所述第二电感的第二端与所述直流电源的第二极电连接。

3.根据权利要求2所述的电感耦合装置，其特征在于，所述电感耦合装置还包括隔直电容；

所述隔直电容的第一端经由所述匹配器与所述射频电源电连接，所述隔直电容的第二端分别与所述射频线圈的输入端、所述第一电感的第二端电连接。

4.根据权利要求2所述的电感耦合装置，其特征在于，所述第一滤波器还包括第一电容，所述第二滤波器还包括第二电容；

所述第一电容的第一端与所述第一电感的第一端电连接，所述第一电容的第二端接地；

所述第二电容的第一端分别与所述射频线圈的输出端、所述第二电感的第一端电连接，所述第二电容的第二端接地。

5.根据权利要求4所述的电感耦合装置，其特征在于，所述第二电容的容抗为所述射频线圈的感抗的45％～55％。

6.根据权利要求2至5中任意一项所述的电感耦合装置，其特征在于，所述第一电感和/或所述第二电感的感抗大于2000Ω。

7.根据权利要求1至5中任意一项所述的电感耦合装置，其特征在于，所述射频线圈为立体线圈或平面线圈。

8.一种工艺腔室，包括腔室本体、介质窗以及电感耦合装置，其特征在于，所述电感耦合装置采用权利要求1至7中任意一项所述的电感耦合装置，所述射频线圈设置在所述介质窗外侧。

9.一种半导体处理设备，其特征在于，包括权利要求8所述的工艺腔室。