[发明专利]一种多级阻变存储器及制备方法有效
| 申请号： | 201810786319.X | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN109065709B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 周晔;韩素婷;王展鹏;王燕;陈锦锐 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阻变存储器 核壳量子点 分子轨道 阻变层 制备 高度集成 高稳定性 核壳结构 肖特基结 低功耗 底电极 顶电极 量子点 基底 势垒 组态 薄膜 应用 存储 施加 占据 | ||
1.一种多级阻变存储器，其特征在于，从下至上包括：刚性基底、底电极、ZnSe/ZnS核壳量子点阻变层、顶电极。
2.根据权利要求1所述的多级阻变存储器，其特征在于，所述ZnSe/ZnS核壳量子点阻变层的厚度为30nm。
3.一种如权利要求1或2所述的多级阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括：
步骤A、在所述刚性基底上制作底电极；
步骤B、在所述底电极上制作ZnSe/ZnS核壳量子点阻变层；
步骤C、在所述ZnSe/ZnS核壳量子点阻变层上制作顶电极，得到基于核壳量子点的多级阻变存储器。
4.根据权利要求3所述的多级阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，所述ZnSe/ZnS核壳量子点阻变层由下述制备方法制备而成：
步骤B1、分别制备Zn前驱体溶液、Se前驱体溶液和S前驱体溶液，将三种前驱体溶液混合均匀，并于200-250 ℃下成核、生长，得到ZnSe/ZnS核壳量子点溶液；
步骤B2、将所述ZnSe/ZnS核壳量子点溶液旋涂在所述底电极上，退火得到ZnSe/ZnS核壳量子点阻变层。
5.根据权利要求4所述的多级阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤B1中，所述Zn前驱体溶液由醋酸锌、油酰胺和十八烯制备而成，其中，醋酸锌的物质的量mol：油酰胺体积ml：十八烯体积ml=2:2:1。
6.根据权利要求4所述的多级阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤B1中，所述Se前驱体溶液由Se粉末、三辛基膦和十八烯制备而成，其中，Se粉末的物质的量mol：三辛基膦体积ml：十八烯体积ml=3.6:1:4。
7.根据权利要求4所述的多级阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤B1中，所述S前驱体溶液由S粉末、三辛基膦和十八烯制备而成，其中，S粉末的物质的量mol：三辛基膦体积ml：十八烯体积ml=2.5:3:4。
8.根据权利要求4所述的多级阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤B2中，旋涂的工艺条件为：转速为1800-2200 rpm，旋涂时间为50-60 s。
9.根据权利要求4所述的多级阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤B2中，退火的工艺条件为：110-130 ℃的温度退火20-40 min。
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