[发明专利]一种分析DBDS与DBS对铜绕组腐蚀性能的方法

权利要求书

1.一种用密度泛函理论分析DBDS与DBS对铜绕组腐蚀性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：在分子模拟软件内建立Cu(110)表面、Cu(110)/DBDS复合模型以及Cu(110)/DBS复合模型；

步骤2：基于密度泛函理论的平面波超软赝势对步骤1中的Cu(110)/DBDS复合模型以及Cu(110)/DBS复合模型进行结构优化，优化完成后可以得到Cu(110)/DBDS和Cu(110)/DBS的功函变化；

步骤3：在步骤2的结构优化的基础上，对Cu(110)/DBDS复合模型以及Cu(110)/DBS复合模型进行能量优化，完成后计算DBDS与DBS的吸附能；

步骤4：以DND为基组，泛函数设为广义梯度近似GGA，对DBDS分子与DBS分子进行结构优化，在结构优化后的模型上进行能量优化，计算得到前线轨道分布和前线轨道能量值，分析DBDS分子与DBS分子的稳定性；

步骤5：在Cu(110)/DBDS体系和Cu(110)/DBS体系结构和能量优化的基础上，对电荷分布进行分析，分析DBDS分子与DBS分子与铜的反应活性，即可完成DBDS与DBS对铜绕组腐蚀性能的分析。

2.根据权利要求1所述的用密度泛函理论分析DBDS与DBS对铜绕组腐蚀性能的方法，其特征在于，所述的功函变化的计算公式如式(1)、式(2)所示：

ΔΦ₁＝Φ_DBDS+Cu(110)-Φ_Cu(110) (1)

ΔΦ₂＝Φ_DBS+Cu(110)-Φ_Cu(110) (2)

式(1)中Φ_DBDS+Cu(110)表示DBDS/Cu(110)体系的功函，Φ_Cu(110)代表Cu(110)表面的功函数；式(2)中Φ_DBS+Cu(110)表示DBS/Cu(110)体系的功函，Φ_Cu(110)代表Cu(110)表面的功函数；

ΔΦ₁、ΔΦ₂分别为Cu(110)/DBDS和Cu(110)/DBS的功函变化值。

3.根据权利要求1所述的用密度泛函理论分析DBDS与DBS对铜绕组腐蚀性能的方法，其特征在于，所述的步骤2中，所述的结构优化的条件为收敛精度控制为2×10^-5eV/atom，原子内敛力小于0.1Gpa，倒易空间平面波截断能设置为350eV，布里渊区积分采用Monkhorst-Pack形式的K点方法，K点设为1×2×1。

4.根据权利要求1所述的用密度泛函理论分析DBDS与DBS对铜绕组腐蚀性能的方法，其特征在于，所述的步骤3中，计算吸附能如式(3)、式(4)所示：

E_ads1＝E_DBDS+Cu(110)-E_DBDS-E_Cu(110) (3)

E_ads2＝E_DBS+Cu(110)-E_DBS-E_Cu(110) (4)

其中E_DBDS+Cu(110)为吸附分子DBDS与Cu(110)表面的总能量；

E_DBS+Cu(110)代表DBS与Cu(110)表面的总能量；

E_DBDS、E_DBS是分别将DBDS、DBS分子放入一个的立方盒子计算出来的能量；E_Cu(110)代表纯Cu(110)表面的能量；

E_ads1、E_ads2分别为DBDS与Cu以及DBS与Cu的吸附能。

5.根据权利要求1所述的用密度泛函理论分析DBDS与DBS对铜绕组腐蚀性能的方法，其特征在于，所述的步骤4中，采用所述的前线轨道分布得出两前线轨道能量差以及电负性；所述的两前线轨道能量差为ΔE＝E_LUMO-E_HOMO，其中，E_LUMO为DBDS与DBS的最低未占轨道能量；E_HOMO为DBDS与DBS的最高占据轨道能量；所述的电负性χ可由下式表示：χ＝(I+A)/2，式中I＝-E_HOMO；A＝-E_LUMO。