[发明专利]空穴传输层、其制备方法及半导体光电器件

说明书

本发明公开了一种空穴传输层，所述空穴传输层的材质包括P型半导体材料，所述p型半导体材料为掺杂低价态金属元素的钙钛矿材料，所述低价态金属元素的价态为+1价。所述空穴传输层的制备方法包括：将M1X₂、M2X及有机溶剂混合反应得到混合反应液；形成薄膜层；一次退火处理；薄膜层置入含AX的有机溶液，经清洗、二次退火处理，形成空穴传输层。本发明还公开了一种半导体光电器件，所述半导体光电器件包括空穴传输层。本发明另公开了一种半导体光电器件的制备方法，包括制备空穴传输层的步骤，并公开一种量子点发光二极管器件的制作方法，包括制备第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及第二电极的步骤。

技术领域

本发明涉及有机电致发光器件技术领域，具体的涉及一种空穴传输层及其制备方法、半导体光电器件及其制备方法，以及量子点发光二极管器件的制作方法。

背景技术

基于半导体量子点(QDs)发光的量子点发光二极管器件(QLEDs)具有发光效率高、色纯度高以及发光颜色简单可调等优点。近年来，对量子点材料及QLED器件的开发受到了越来越多的关注。与有机发光二极管器件相比较，QLED器件中的发光层由无机纳米粒子组成，目前主流的QLED器件中通常采用的是有机的空穴注入层、有机的空穴传输层、无机的量子点发光层、无机的电子传输层。但使用有机材料作为空穴传输层在光照射下，通常不稳定，因此会导致，QLED器件参数下降，寿命降低，延迟了QLED商业化应用的时间。另外，在传统量子点主动发光二极管中，空穴传输层所采用的材料为有机小分子或者聚合物之类，此种物质不稳定，且一种物质的LUMO和HOMO是固定的，不可调整。

因此，如何提高空穴传输层的稳定性、有效调节空穴传输层的LUMO和HOMO、提高QLED的制作效率，成为了亟待解决的问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种空穴传输层及其制备方法、半导体光电器件及其制备方法，以及量子点发光二极管器件的制作方法，以克服现有技术中的不足。为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：

本发明实施例提供了一种空穴传输层，所述空穴传输层的材质包括P型半导体材料，所述P型半导体材料为掺杂低价态金属元素的钙钛矿材料，所述低价态金属元素的价态为+1价。

本发明实施例还提供一种空穴传输层的制备方法，包括以下步骤：

(1)将M1X₂、M2X及有机溶剂混合后加热至40℃～80℃，反应得到混合反应液；

(2)对步骤(1)所获混合反应液进行成膜处理，形成薄膜层；以及

(3)对步骤(2)所获薄膜层进行一次退火处理；

(4)将经步骤(3)处理后的薄膜层置入包含AX的有机溶液，再经清洗、二次退火处理，形成空穴传输层；

其中，M1包括Pb、Sn和Ge中的任意一种或两种以上的组合；

M2为低价态金属元素，包括Cu⁺、Na⁺、Ag⁺、Rb⁺、Li⁺、K⁺和La⁺中的任意一种或两种以上的组合；

A包括Cs、CH₃NH₃、HC(NH₂)₂和Rb中的任意一种或两种以上的组合；

X包括Cl、Br和I中的任意一种或两种以上的组合。

本发明实施例还提供一种半导体光电器件，所述半导体光电器件包括空穴传输层，所述空穴传输层为上述的空穴传输层。

本发明实施例还提供一种半导体光电器件的制备方法，包括制备空穴传输层的步骤，其采用上述的方法制备所述的空穴传输层。