[发明专利]动态随机存取存储器

说明书

本发明提供一种动态随机存取存储器(DRAM)。所述DRAM包括一温度传感器、一动态存储器阵列、一控制电路、多个电力供应电路以及一电力控制电路。温度传感器感测DRAM的操作温度。控制电路耦接至动态存储器阵列，以及存取与管理动态存储器阵列。电力供应电路供电给动态存储器阵列与控制电路。电力控制电路控制所述多个电力供应电路的供电输出。当DRAM进入自刷新模式时，电力控制电路依照DRAM的操作温度而选择性地切换于低功率控制状态与通常功率控制状态之间。

技术领域

本发明涉及一种存储器，尤其涉及一种动态随机存取存储器(dynamic randomaccess memory,DRAM)。

背景技术

最近，窄频物联网(Narrow Band Internet of Things,NB-IoT，例如可穿戴设备、移动设备等)的产品需要具有大约百万比特存储器容量的低功率存储器。因此，像是伪静态随机存取存储器(pseudo static random access memory，pSRAM)这样的低功率动态随机存取存储器被广泛地应用于NB-IoT中。但是，这类存储器在自刷新模式(self-refreshmode)下所消耗的电流往往不容忽视。

发明内容

本发明的目的在于提供一种动态随机存取存储器，用于在自刷新(self-refresh)模式中进一步降低DRAM的功率。

本发明的实施例提供一种动态随机存取存储器。所述动态随机存取存储器包括一温度传感器、一动态存储器阵列、一控制电路、多个电力供应电路以及一电力控制电路。温度传感器感测动态随机存取存储器的操作温度。控制电路耦接至动态存储器阵列，以及存取与管理动态存储器阵列。电力供应电路供电给动态存储器阵列与控制电路。电力控制电路控制所述多个电力供应电路的供电输出。当动态随机存取存储器进入自刷新模式时，电力控制电路依照动态随机存取存储器的操作温度而选择性地切换于低功率控制状态与通常功率控制状态之间。

本发明的实施例提供一种动态随机存取存储器。所述动态随机存取存储器包括一动态存储器阵列、一控制电路、多个电力供应电路以及一电力控制电路。控制电路耦接至动态存储器阵列，以及存取与管理动态存储器阵列。电力供应电路提供适当的驱动电压给动态存储器阵列与控制电路。所述多个电力供应电路被分为多个群，其中所述多个群包含第一群。电力控制电路控制所述多个电力供应电路的供电输出。当动态随机存取存储器进入自刷新模式时，电力控制电路选择性地切换于低功率控制状态与通常功率控制状态之间。当电力控制电路操作在低功率控制状态时，以及在内部自刷新命令发出期间中，电力控制电路控制第一群的所述电力供应电路的供电输出从浮接状态切换为激活状态。当电力控制电路操作在低功率控制状态时，以及在内部自刷新命令发出期间结束后，电力控制电路控制第一群的所述电力供应电路的供电输出从激活状态切换回浮接状态。

基于上述，本发明诸实施例所述动态随机存取存储器通过温度传感器来感测操作温度。当动态随机存取存储器进入自刷新模式时，电力控制电路可以依照动态随机存取存储器的操作温度而选择性地切换于低功率控制状态与通常功率控制状态之间。如此一来，本发明诸实施例所述的动态随机存取存储器可以在自刷新模式中进一步管理动态随机存取存储器的功率，以便降低动态随机存取存储器在自刷新模式中所消耗的电流。对于物联网传感器节点(IoT sensor node，例如可穿戴设备和移动设备)来说，由于实现了更长的电池操作时间，其特性非常有吸引力。

详而言之，对于具有自刷新模式的半导体存储器而言，此自刷新模式是由在微控制器或系统单晶片内的存储器控制器所发出的外部命令来致能。进入自刷新模式之后，电力控制电路可以通过温度传感器去检测半导体存储器的操作温度。依据操作温度，温度传感器可以进一步管理半导体存储器的功率。因此，半导体存储器可以在自刷新模式中实现最佳的功率消耗。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明