[发明专利]具有不同高度的管芯结构的芯片封装件及其形成方法在审
| 申请号： | 201810789422.X | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN109671680A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 魏文信;胡宪斌;侯上勇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片堆叠件 芯片封装件 衬底 模塑料层 顶面 附接 管芯结构 覆盖 | ||
1.一种封装件，包括：
衬底；
第一芯片堆叠件，附接至所述衬底；
第二芯片堆叠件，附接至所述衬底，所述第一芯片堆叠件和所述第二芯片堆叠件附接至所述衬底的相同侧；以及
模塑料层，围绕所述第一芯片堆叠件和所述第二芯片堆叠件，所述模塑料层覆盖所述第一芯片堆叠件的最顶面，所述模塑料层的最顶面与所述第二芯片堆叠件的最顶面共面。
2.根据权利要求1所述的封装件，其中，通过所述模塑料层暴露所述第二芯片堆叠件。
3.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述第二芯片堆叠件具有比所述第一芯片堆叠件更大的高度。
4.根据权利要求1所述的封装件，还包括围绕所述第一芯片堆叠件和所述第二芯片堆叠件的底部填充层，所述底部填充层和所述模塑料层之间的界面位于所述第一芯片堆叠件的最底面和所述第二芯片堆叠件的最低面之上。
5.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述第二芯片堆叠件包括接合至第二集成电路管芯的第一集成电路管芯，位于所述第一集成电路管芯的第一侧上的第一绝缘层与位于所述第二集成电路管芯的第二侧上的第二绝缘层物理接触。
6.根据权利要求1所述的封装件，还包括再分布结构，所述衬底插接在所述再分布结构和所述第二芯片堆叠件之间。
7.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述衬底包括无源器件和有源器件中的至少一种。
8.一种封装件，包括：
衬底，所述衬底具有第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对；
第一芯片堆叠件，接合至所述衬底的第一表面；
第二芯片堆叠件，接合至与所述第一芯片堆叠件相邻的所述衬底的第一表面，所述第二芯片堆叠件高于所述第一芯片堆叠件；以及
模塑料层，沿着所述第一芯片堆叠件的最顶面延伸，所述第一芯片堆叠件的最顶面是所述第一芯片堆叠件的距离所述衬底最远的表面。
9.根据权利要求8所述的封装件，还包括插接在所述衬底和所述模塑料层之间的底部填充层。
10.一种封装件，包括：
衬底；
第一芯片堆叠件，接合至所述衬底；
第二芯片堆叠件，接合至所述衬底；
底部填充层，在所述第一芯片堆叠件和所述衬底之间并且在所述第二芯片堆叠件和所述衬底之间延伸，所述底部填充层的至少部分沿着所述第一芯片堆叠件的侧壁和所述第二芯片堆叠件的侧壁延伸；以及
封装层，位于所述底部填充层上方，所述封装层沿着所述第一芯片堆叠件的最顶面延伸，所述底部填充层和所述封装层之间的界面位于所述第一芯片堆叠件的最低面之上且位于所述第一芯片堆叠件的最顶面下面。
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