[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阳极和所述量子点发光层之间设置有用于提高所述阳极功函数的第一界面偶极层；和/或所述阴极和所述量子点发光层之间设置有用于降低所述阴极功函数的第二界面偶极层。通过设置该第一界面偶极层和/或第二界面偶极层，可提高量子点发光二极管中的载流子注入效率，最终提高其发光性能。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)是一种新兴的显示器件，其结构与有机发光二极管(Organic light-emitting diode,OLED)相似，即空穴传输层、发光层以及电子传输层组成的三明治结构。与OLED相比，QLED的特点在于其发光材料采用性能更加稳定的无机量子点。量子点独特的量子尺寸效应、宏观量子隧道效应、量子尺寸效应和表面效应使其展现出出色的物理性质，尤其是其光学性能。相对于有机荧光染料，胶体法制备的量子点具有光谱可调、发光强度大、色纯度高、荧光寿命长、单光源可激发多色荧光等优势。此外，QLED器件寿命长，封装工艺简单，有望成为下一代的平板显示器件，具有广阔的应用前景。

目前，在QLED器件结构中，一般采用PEDOT:PSS作为空穴注入层、有机导电聚合物作为空穴传输层、无机量子点纳米晶作为发光层、氧化锌纳米颗粒作为电子传输层。其中，由于量子点和电子传输材料都是通过溶液法合成的无机纳米颗粒，其表面具有大量的缺陷和悬挂键，用其制备的膜层表面也是具有大量的表面缺陷态，其不仅会成为在该量子点产生的激子的淬灭中心，在量子点上产生的激子也会通过能量传递到该缺陷态而被淬灭。因此，这些表面缺陷严重地影响了器件的发光性能。此外，QLED器件普遍存在空穴与电子注入不平衡的问题，其中一个主要原因是空穴的注入和传输效率不高，这极大地影响了器件的发光性能和寿命。因此，现有技术还有待进一步的研究和发展。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有量子点发光二极管的载流子注入效率不高的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阳极和所述量子点发光层之间设置有用于提高所述阳极功函数的第一界面偶极层；和/或

所述阴极和所述量子点发光层之间设置有用于降低所述阴极功函数的第二界面偶极层。

本发明另一方面提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：

在阳极或量子点发光层上制备一层用于提高所述阳极功函数的第一界面偶极层；和/或

在阴极或量子点发光层上制备一层用于降低所述阴极功函数的第二界面偶极层。

本发明提供的量子点发光二极管，在阳极和量子点发光层之间设置的第一界面偶极层具有较强的电子偶极效应，修饰在阳极上，可提高阳极的功函数，从而提高空穴注入效率，同时该第一界面偶极层还具有空穴阻挡作用；而阴极和量子点发光层之间设置的第二界面偶极层可降低阴极的功函数，从而降低电子注入的势垒，进而促进电子注入；因此，通过设置该第一界面偶极层和/或第二界面偶极层，可提高量子点发光二极管中的载流子注入效率，最终提高其发光性能。

本发明提供的量子点发光二极管的制备方法，工艺简单，通过制备提高阳极功函数的第一界面偶极层和/或降低阴极功函数的第二界面偶极层，使得最终的量子点发光二极管中的载流子注入效率显著提高，最终提高其发光性能。

具体实施方式