[发明专利]一种高压热处理晶界扩散增强钕铁硼磁体矫顽力的方法有效
申请号: | 201810791634.1 | 申请日: | 2018-07-18 |
公开(公告)号: | CN108922768B | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 吴中平;黄益红;吴琼;葛洪良 | 申请(专利权)人: | 浙江中科磁业股份有限公司 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02 |
代理公司: | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人: | 吴秉中 |
地址: | 322118 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高压 热处理 扩散 增强 钕铁硼 磁体 矫顽力 方法 | ||
1.一种高压热处理晶界扩散增强钕铁硼磁体矫顽力的方法,其特征在于,包括如下步骤:将低熔点Ce-Al-Cu高能球磨破碎或甩带微破碎后,与Ce基纳米稀土配合物混合,配置形成悬浊液扩散源,用高压喷射的方式将扩散源涂覆在钕铁硼磁体的表面,之后在高纯氩气保护下进行扩散热处理,通过改善磁体的晶界特性和主相分布获得高矫顽力钕铁硼磁体;具体包括包括如下步骤:
(1)根据需要设计Ce-Al-Cu合金成分,熔炼制备Ce-Al-Cu合金;Ce原子百分含量为50~80%;
(2)将步骤(1)中的Ce-Al-Cu合金通过高能球磨破碎或甩带微破碎后,与Ce基纳米稀土配合物混合,配置成室温下粘度为70~150 mmpa.s的悬浊液扩散源,将悬浊液扩散源通过高压喷射的方式涂覆在钕铁硼磁体的表面,加热到悬浊液扩散源熔点以上,进行扩散热处理;
(3)将步骤(3)经扩散热处理后的样品进行回火处理;
所述的Ce基纳米稀土配合物为有机Ce基三元有机配合物纳米颗粒Ce(acac)3phen和有机Ce基谷氨酸咪唑配合物纳米颗粒Ce(Glu)3ImCl3中的一种或二种混合物;
步骤(2)所述的高压喷射是在高达20~80 MPa的高纯氩气高压力下来喷射悬浊液扩散源。
2.根据权利要求1所述的一种高压热处理晶界扩散增强钕铁硼磁体矫顽力的方法,其特征在于,步骤(2)所述的甩带为快淬带材,辊轮的线速度为10~50 m/s。
3.根据权利要求1所述的一种高压热处理晶界扩散增强钕铁硼磁体矫顽力的方法,其特征在于,步骤(2)所述的悬浊液的溶剂为乙醇、苯乙烯、丙酮和松香中的一种或者多种的混合液;其中Ce-Al-Cu合金占悬浊液总重量的5~50%,Ce基纳米稀土配合物占悬浊液总重量5~15%。
4.根据权利要求1所述的一种高压热处理晶界扩散增强钕铁硼磁体矫顽力的方法,其特征在于,步骤(2)所述的扩散热处理的温度为600~850℃,时间为1~8 h。
5.根据权利要求1所述的一种高压热处理晶界扩散增强钕铁硼磁体矫顽力的方法,其特征在于,步骤(3)所述的回火处理的温度为400~550℃,时间为1~8 h。
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