[发明专利]移位寄存器单元、栅极驱动电路、显示装置及驱动方法有效

专利信息
申请号: 201810792891.7 申请日: 2018-07-18
公开(公告)号: CN109935199B 公开(公告)日: 2021-01-26
发明(设计)人: 冯雪欢;李永谦 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: G09G3/3208 分类号: G09G3/3208;G11C19/28
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 移位寄存器 单元 栅极 驱动 电路 显示装置 方法
【说明书】:

一种移位寄存器单元、栅极驱动电路、显示装置及驱动方法。该移位寄存器单元包括消隐单元、第一传输电路、第二传输电路、第一输入输出单元和第二输入输出单元。所述消隐单元被配置为响应于补偿选择控制信号对上拉控制节点进行充电并将消隐上拉信号输入到消隐上拉节点;所述第一传输电路和所述消隐上拉节点以及所述第一上拉节点电连接,且被配置为响应于第一传输信号利用所述消隐上拉信号对所述第一上拉节点进行充电。该移位寄存器单元可以共用消隐单元,从而使得采用该移位寄存器单元的显示装置可以减小边框尺寸。

技术领域

本公开的实施例涉及一种移位寄存器单元、栅极驱动电路、显示装置及驱动方法。

背景技术

在显示领域特别是OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示面板中,栅极驱动电路目前一般集成在GATE IC中。IC设计中芯片的面积是影响芯片成本的主要因素,如何有效地降低芯片面积是技术开发人员需要着重考虑的。目前用于OLED的栅极驱动电路通常要用三个子电路组合而成,即检测电路、显示电路和输出两者复合脉冲的连接电路(或门电路),这样的电路结构非常复杂,无法满足显示面板的高分辨率窄边框的要求。

发明内容

本公开至少一实施例提供一种移位寄存器单元,包括消隐单元、第一传输电路、第二传输电路、第一输入输出单元和第二输入输出单元。所述消隐单元被配置为响应于补偿选择控制信号对上拉控制节点进行充电并将消隐上拉信号输入到消隐上拉节点;所述第一输入输出单元包括第一上拉节点和第一输出端,所述第二输入输出单元包括第二上拉节点和第二输出端;所述第一传输电路和所述消隐上拉节点以及所述第一上拉节点电连接,且被配置为响应于第一传输信号利用所述消隐上拉信号对所述第一上拉节点进行充电;所述第二传输电路和所述消隐上拉节点以及所述第二上拉节点电连接,且被配置为响应于第二传输信号利用所述消隐上拉信号对所述第二上拉节点进行充电;所述第一输入输出单元被配置为响应于第一显示输入信号对所述第一上拉节点进行充电,并且被配置为在所述第一上拉节点的电平的控制下将复合输出信号输出至第一输出端;所述第二输入输出单元被配置为响应于第二显示输入信号对所述第二上拉节点进行充电,并且被配置为在所述第二上拉节点的电平的控制下将复合输出信号输出至第二输出端。

例如,在本公开一实施例提供的移位寄存器单元中,所述消隐单元包括消隐输入电路和消隐上拉电路。所述消隐输入电路被配置为响应于所述补偿选择控制信号对所述上拉控制节点进行充电并保持所述上拉控制节点的电平;所述消隐上拉电路被配置为在所述上拉控制节点的电平的控制下将所述消隐上拉信号输入到所述消隐上拉节点。

例如,在本公开一实施例提供的移位寄存器单元中,所述消隐单元还包括消隐耦合电路。所述消隐耦合电路与所述上拉控制节点电连接,且被配置为对所述上拉控制节点进行耦合上拉。

例如,在本公开一实施例提供的移位寄存器单元中,所述消隐输入电路包括第一晶体管和第一电容。所述第一晶体管的栅极和补偿选择控制端连接以接收所述补偿选择控制信号,所述第一晶体管的第一极和消隐输入信号端连接,所述第一晶体管的第二极和所述上拉控制节点连接;以及所述第一电容的第一极和所述上拉控制节点连接,所述第一电容的第二极和第一电压端连接。

例如,在本公开一实施例提供的移位寄存器单元中,所述消隐上拉电路包括第二晶体管。所述第二晶体管的栅极和所述上拉控制节点连接,所述第二晶体管的第一极和第二电压端连接以接收第二电压,所述第二晶体管的第二极和所述消隐上拉节点连接。

例如,在本公开一实施例提供的移位寄存器单元中,消隐耦合电路包括耦合电容和第三晶体管。所述第三晶体管的栅极和所述上拉控制节点连接,所述第三晶体管的第一极和第二电压端连接以接收第二电压,所述第三晶体管的第二极和所述耦合电容的第一极连接,所述耦合电容的第二极和所述上拉控制节点连接。

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