[发明专利]TFT基板的制作方法

权利要求书

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成栅极(20)、栅极绝缘层(30)、有源层(40)、源极(51)及漏极(52)；

步骤S2、在所述衬底基板(10)上形成覆盖源极(51)和漏极(52)的钝化层(60)；

步骤S3、提供一半透光光罩(90)，所述半透光光罩(90)具有遮光图案(91)、半透光图案(92)及剩余的透光图案(93)，在所述钝化层(60)上涂布负型光阻材料(80)，利用所述半透光光罩(90)对负型光阻材料(80)进行曝光，在曝光过程中，对应于所述遮光图案(91)下方的负型光阻材料(80)以及对应于所述半透光图案(92)下方的负型光阻材料(80)的下半部分均未发生交联反应而分别形成第一未交联部(81)和第二未交联部(82)，而对应于所述透光图案(93)下方的负型光阻材料(80)以及对应于所述半透光图案(92)下方的负型光阻材料(80)的上半部分均发生交联反应而形成交联部(83)；所述第一未交联部(81)和第二未交联部(82)均为上窄下宽的结构；

步骤S4、对所述负型光阻材料(80)进行第一次显影，对应于所述遮光图案(91)的第一未交联部(81)被去除；

步骤S5、以所述负型光阻材料(80)为遮蔽层，对所述钝化层(60)进行蚀刻，在所述漏极(52)上方形成过孔(61)并露出所述漏极(52)；

步骤S6、对所述负型光阻材料(80)进行灰化处理，减薄所述负型光阻材料(80)的厚度至露出第二未交联部(82)；

步骤S7、对所述负型光阻材料(80)进行第二次显影，对应于所述半透光图案(92)的第二未交联部(82)被去除；

步骤S8、在所述负型光阻材料(80)及由负型光阻材料(80)露出的钝化层(60)上沉积透明导电材料，从而在所述钝化层(60)上形成像素电极(70)，所述像素电极(70)通过所述过孔(61)与漏极(52)相接触；

步骤S9、用光阻剥离液去除剩余的负型光阻材料(80)及其上的透明导电材料。

2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括如下步骤：

步骤S11、提供衬底基板(10)，利用第一道光罩制程在所述衬底基板(10)上图案化形成栅极(20)，在衬底基板(10)上形成覆盖栅极(20)的栅极绝缘层(30)；

步骤S12、利用第二道光罩制程在栅极绝缘层(30)上图案化形成有源层(40)及分别位于有源层(40)两端上的源极(51)和漏极(52)。

3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中提供的半透光光罩(90)为半色调光罩。

4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中提供的半透光光罩(90)为灰阶光罩。

5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S6中采用氧等离子对所述负型光阻材料(80)进行灰化处理。

6.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S8中沉积的透明导电材料为氧化铟锡。

7.如权利要求2所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述有源层(40)为非晶硅层。

8.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述钝化层(60)的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或氧化铪。

9.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中通过等离子体化学气相沉积、常压化学气相沉积或溅射法沉积形成所述钝化层(60)。

10.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中采用湿法蚀刻法或等离子体干蚀刻法对所述钝化层(60)进行蚀刻。