[发明专利]CMOS图像传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：

硅衬底；

设于所述硅衬底正面的感光区；

设于所述硅衬底正面的感光区下方的金属互连区，所述金属互连区包括第一介质层和设于第一介质层中的多层金属互连层；

设于所述第一介质层中的光反弹结构，所述光反弹结构对应位于感光区的下方，所述光反弹结构通过金属互连层引出；其中，所述光反弹结构用于将自硅衬底背面入射的光线再次反射至感光区中；以及

设于所述硅衬底背面、对应位于感光区上方的滤色片及微透镜阵列。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述光反弹结构位于多层金属互连层中的任意一层金属互连层。

3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述光反弹结构为由不同材料叠设形成的复合层结构。

4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述光反弹结构为一电容器。

5.根据权利要求4所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述电容器包括上极板、下极板和位于上极板、下极板之间的第二介质层。

6.根据权利要求5所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述电容器的上极板、下极板通过栓塞分别连接上下不同层的金属互连层。

7.根据权利要求5所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第二介质层为单层结构或由不同材料叠设形成的复合层结构。

8.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括：设于所述硅衬底正面的用于隔离感光区的沟道隔离。

9.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述感光区为掺杂区。

10.一种CMOS图像传感器制备方法，其特征在于，包括：

提供一硅衬底，在所述硅衬底正面形成沟道隔离；

在所述硅衬底正面的沟道隔离之间形成感光区；

在所述硅衬底正面形成金属互连区，包括在所述硅衬底正面淀积第一介质层，并在第一介质层中形成多层金属互连层；以及

在所述多层金属互连层中对应任意一层金属互连层的第一介质层中形成作为光反弹结构的电容器，包括形成电容器所需的上极板、下极板和介质层，并将电容器的上极板、下极板通过栓塞分别连接上下不同层的金属互连层；

将完成正面工艺的所述硅衬底反转，使其背面朝上，然后将所述硅衬底的背面减薄至工艺要求的厚度；

在减薄后的所述硅衬底的背面形成滤色片及微透镜阵列，形成集成了电容器的背照式CMOS图像传感器。