[发明专利]磁性随机存取存储器结构

权利要求书

1.一种磁性随机存取存储器(magnetic random access memory，MRAM)结构，其特征在于，包含:

晶体管，包含有栅极、源极以及漏极；

磁性隧穿介面(magnetic tunnel junction，MTJ)元件，至少包含有自由层、绝缘层以及固定层，其中该绝缘层位于该自由层以及该固定层之间，该自由层位于该绝缘层之上，其中该磁性隧穿介面元件的该自由层与一位线(bit line，BL)电连接，该磁性隧穿介面元件的该固定层与该晶体管的该源极电连接，该晶体管的该漏极电连接一感测线(sense line，SL)；以及

第一导电通孔(via)，直接接触该磁性隧穿介面元件，其中该第一导电通孔由钨制作，

其中该磁性隧穿介面元件还包含有上电极，位于该磁性隧穿介面元件的最顶层，其中该上电极具有半椭圆形轮廓。

2.如权利要求1所述的磁性随机存取存储器结构，其中该磁性隧穿介面元件具有梯形轮廓。

3.如权利要求1所述的磁性随机存取存储器结构，其中该磁性隧穿介面元件还包含有下电极，位于该磁性隧穿介面元件的最底层，其中该下电极具有梯形轮廓。

4.如权利要求3所述的磁性随机存取存储器结构，其中该第一导电通孔直接接触该下电极。

5.如权利要求1所述的磁性随机存取存储器结构，其中该磁性随机存取存储器结构还包含第二导电通孔，该第二导电通孔直接接触该上电极。

6.如权利要求5所述的磁性随机存取存储器结构，其中该第二导电通孔由铜制作。

7.如权利要求5所述的磁性随机存取存储器结构，其中还包含有间隙壁，覆盖该上电极、该磁性隧穿介面元件以及下电极，其中该第二导电通孔穿过部分该间隙壁。

8.如权利要求1所述的磁性随机存取存储器结构，其中该第一导电通孔包含有第一部分以及第二部分，其中该第一部分具有倒梯形轮廓，位于该第二部分上，且该第二部分具有长方形轮廓。

9.一种磁性随机存取存储器(magnetic random access memory，MRAM)结构，其特征在于，包含:

晶体管，包含有栅极、源极以及漏极；

磁性隧穿介面(magnetic tunnel junction，MTJ)元件，至少包含有自由层、绝缘层以及固定层，其中该绝缘层位于该自由层以及该固定层之间，该自由层位于该绝缘层之上，其中该磁性隧穿介面元件的该自由层与该晶体管的该漏极电连接，该磁性隧穿介面元件的该固定层与一位线(bit line，BL)电连接，该晶体管的该源极电连接一感测线(sense line，SL)；以及

第一导电通孔(via)，直接接触该磁性隧穿介面元件，其中该第一导电通孔由钨制作，

其中该磁性隧穿介面元件还包含有上电极，位于该磁性隧穿介面元件的最顶层，其中该上电极具有半椭圆形轮廓。

10.如权利要求9所述的磁性随机存取存储器结构，其中该磁性隧穿介面元件具有梯形轮廓。

11.如权利要求9所述的磁性随机存取存储器结构，其中该磁性隧穿介面元件还包含有下电极，位于该磁性隧穿介面元件的最底层，其中该下电极具有一梯形轮廓。

12.如权利要求11所述的磁性随机存取存储器结构，其中该第一导电通孔直接接触该下电极。

13.如权利要求9所述的磁性随机存取存储器结构，其中该磁性随机存取存储器结构还包含第二导电通孔，该第二导电通孔直接接触该上电极。

14.如权利要求13所述的磁性随机存取存储器结构，其中该第二导电通孔由铜制作。