[发明专利]一种高产优质豌豆的种植方法在审
申请号: | 201810795778.4 | 申请日: | 2018-07-19 |
公开(公告)号: | CN108887128A | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 管大鹏;张金龙;张太保 | 申请(专利权)人: | 和县绿缘温室科技有限公司 |
主分类号: | A01G22/40 | 分类号: | A01G22/40;A01G13/00 |
代理公司: | 合肥顺超知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34120 | 代理人: | 黄晶晶 |
地址: | 238200 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 豌豆 高产优质 种植 喷洒 播种 菜喜悬浮剂 低温环境 清水浸泡 适时采收 土壤肥力 豌豆种子 植株 轮作 定植穴 抗倒伏 水搅拌 辛硫磷 种植地 有机肥 倍液 虫害 放入 尿素 病害 盐碱 备用 地块 果实 施加 成熟 | ||
1.一种高产优质豌豆的种植方法,其特征在于,包括如下几个步骤:
(1)选择土壤肥力好、灌排方便、无盐碱、三年轮作的pH为6.5-7.0的冷凉地块作为种植地;
(2)选择病害少、抗倒伏的豌豆种子,播种前用清水浸泡3-4小时,再放入3-5℃的低温环境下处理一定时间,备用;
(3)3月中旬至4月上旬,当地面以下12-15cm处温度达到0-2℃即可播种,定植穴深5-7cm,穴间距一定,播种均匀,每穴4-5粒种子,掩埋表土;
(4)每亩施加尿素100-120kg,有机肥1500-1600kg,其中,有机肥在整地前浇,尿素在种子嫩芽破土后浇入定植穴一定距离处;
(5)植株高5-8cm时,亩用300ml辛硫磷,兑30kg水搅拌均匀,喷洒,花开后,用2.5%菜喜悬浮剂1200-1300倍液,间隔喷洒3次;
(6)果实饱满、成熟后,适时采收。
2.根据权利要求1所述的高产优质豌豆的种植方法,其特征在于,所述步骤(1)中冷凉地块温度为14-17℃。
3.根据权利要求1所述的高产优质豌豆的种植方法,其特征在于,所述步骤(2)中低温处理时间为8-9天。
4.根据权利要求1所述的高产优质豌豆的种植方法,其特征在于,所述步骤(3)中穴间距为16-18cm。
5.根据权利要求1所述的高产优质豌豆的种植方法,其特征在于,所述步骤(4)中尿素施加在距离定植穴3-5cm处。
6.根据权利要求1所述的高产优质豌豆的种植方法,其特征在于,所述步骤(5)中间隔喷洒时间为4-5天。
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