[发明专利]一种非易失性存储器单元、阵列及制备方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器单元，其特征在于，包括：

一衬底；

一栅极结构，形成于所述衬底上，所述栅极结构自下而上依次包括第一栅介质层、第一导电层、第二栅介质层及第二导电层；

一源极区域，形成于所述衬底中，所述源极区域包括一N型重掺杂源区及一N型浅掺杂源区，所述N型浅掺杂源区连接于所述N型重掺杂源区两端，并水平延伸至所述栅极结构下方，与所述栅极结构部分交迭；

一漏极区域，形成于所述衬底中，所述漏极区域包括一N型掺杂漏区及一形成于所述N型掺杂漏区中的P型重掺杂漏区；其中，所述源极区域与所述漏极区域分别位于所述栅极结构的两端，且所述N型掺杂漏区及所述P型重掺杂漏区均水平延伸至所述栅极结构下方，与所述栅极结构部分交迭；

一层间介质层，形成于所述衬底上并覆盖所述栅极结构；

一金属位线，形成于所述层间介质层上；

至少一个接触插塞，形成于所述层间介质层中，所述接触插塞的顶端与所述金属位线连接，所述接触插塞的底端与所述漏极区域连接。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器单元，其特征在于：所述非易失性存储器单元还包括一侧墙结构，所述侧墙结构形成于所述栅极结构两侧。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器单元，其特征在于：所非易失性存储器单元还包括一硅化物层，所述硅化物层分布于所述第二导电层表面、所述P型重掺杂漏区表面及所述N型重掺杂源区表面。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器单元，其特征在于：所述衬底为P型掺杂衬底。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器单元，其特征在于：所述衬底为三阱结构，包括形成于衬底中的N阱及形成于所述N阱中的P阱。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器单元，其特征在于：所述第一栅介质层的厚度范围是7nm～15nm，所述第一导电层的厚度范围是30nm～200nm，所述第二导电层的厚度范围是80nm～250nm。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器单元，其特征在于：所述第一栅介质层的材质包括氧化物及氧氮化物中的任意一种，所述第二栅介质层的材质包括氧化物及氮化物中的任意一种，或者所述第二栅介质层自下而上依次包括第一氧化物层、氮化物层及第二氧化物层，所述第一氧化物层的厚度范围是3nm～7nm，所述氮化物层的厚度范围是4nm～8nm，所述第二氧化物层的厚度范围是3nm～7nm。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储器单元，其特征在于：所述第一导电层的材质包括N型多晶硅，所述第二导电层的材质包括N型多晶硅。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器单元，其特征在于：所述N型掺杂漏区的掺杂剂量范围是1E13cm^-2～9E14cm^-2，所述P型重掺杂漏区的掺杂剂量范围是1E15cm^-2～8E15cm^-2，所述N型重掺杂源区的掺杂剂量范围是1E15cm^-2～9E16cm^-2。

10.一种非易失性存储器阵列，其特征在于：所述非易失性存储器阵列包括权利要求1至权利要求9中任意一项所述非易失性存储器单元。