[发明专利]一种BaHgGeSe4

权利要求书

1.一种BaHgGeSe₄非线性光学晶体，其特征在于，所述BaHgGeSe₄非线性光学晶体不具备有对称中心，属正交晶系，空间群为Ama2，其晶胞参数为：α＝β＝γ＝90°，Z＝4；

所述BaHgGeSe₄非线性光学晶体的制备方法为：采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法生长BaHgGeSe₄非线性光学晶体；

所述高温熔体自发结晶法生长BaHgGeSe₄非线性光学晶体，包括如下步骤：

将具有组成等同于BaHgGeSe₄的混合物或粉末状BaHgGeSe₄化合物加热至熔化得高温熔液并保持24-96小时后，以1-10℃/小时的降温速率降温至室温，得到BaHgGeSe₄非线性光学晶体；

所述坩埚下降法生长BaHgGeSe₄非线性光学晶体，包括如下步骤：

将具有组成等同于BaHgGeSe₄的混合物或粉末状BaHgGeSe₄化合物放入晶体生长装置中，缓慢升温至原料熔化，待原料完全熔化后，晶体生长装置以0.1-10mm/h的速度垂直下降，在晶体生长装置下降过程中进行BaHgGeSe₄非线性光学晶体生长，其生长周期为5-20天；

所述组成等同于BaHgGeSe₄的混合物为将Ba源材料、Hg源材料、Ge源材料和Se单质按照摩尔比Ba:Hg:Ge:Se＝1：1：1：4的比例混合得到。

2.根据权利要求1所述BaHgGeSe₄非线性光学晶体，其特征在于，所述Ba源材料为Ba或BaSe；所述Hg源材料为Hg或HgSe；所述Ge源材料为Ge或GeSe或GeSe₂。

3.根据权利要求1-2任一项所述BaHgGeSe₄非线性光学晶体，其特征在于，所述粉末状BaHgGeSe₄化合物的制备包括如下步骤：

将Ba源材料、Hg源材料、Ge源材料和单质Se按照摩尔比Ba:Hg:Ge:Se＝1：1：1：4的比例混合均匀后，加热至600-1150℃进行固相反应，得到化学式为BaHgGeSe₄的化合物，经捣碎研磨得粉末状BaHgGeSe₄的化合物；

所述Ba源材料为Ba或BaSe；

所述Hg源材料为Hg或HgSe；

所述Ge源材料为Ge或GeSe或GeSe₂。

4.权利要求1所述的BaHgGeSe₄非线性光学晶体在非线性光学器件制备中的应用。

5.根据权利要求4所述的应用，其特征在于，所制备的非线性光学器件包含将至少一束入射电磁辐射通过至少一块该BaHgGeSe₄非线性光学晶体后产生至少一束频率不同于入射电磁辐射的输出辐射的装置。