[发明专利]一种具有低介电常数的钙钴硅微波介质陶瓷在审
| 申请号： | 201810798144.4 | 申请日： | 2018-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN108911728A | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 肖谧;韦艳双;娄捷 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/22 | 分类号： | C04B35/22;C04B35/622 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 李训成 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微波介质陶瓷 低介电常数 钴硅 坯体 低介电常数微波介质陶瓷 谐振频率温度系数 发明制备工艺 微波介质材料 二次球磨 介电常数 原料组成 烧结 次球 过筛 排蜡 预烧 造粒 制备 保温 成功 | ||
1.一种具有低介电常数的钙钴硅微波介质陶瓷，其组成为CaCoSi2O6。
上述钙钴硅微波介质陶瓷的制备方法，具有以下步骤：
(1)将CaCO3、CoCO3、SiO2作为原料，按化学式CaCoSi2O6进行配料，将粉料放入球磨罐中，加入去离子水及氧化锆球，球磨8小时；
(2)将步骤(1)球磨后的原料置于110℃烘干，待原料烘干后过40目筛，获得颗粒均匀的粉料；
(3)将步骤(2)混合均匀的粉料装入坩埚后在1100℃下预烧2小时；
(4)在步骤(3)预烧后的陶瓷粉料放入球磨罐中，加入去离子水与氧化锆球，二次球磨8小时，并于110℃温度烘干；烘干后在陶瓷粉料中外加15％重量百分比的石蜡进行造粒，过60目筛，再压制成坯体；
(5)将步骤(4)的坯体缓慢升温至550℃排蜡，然后在550℃下保温90～300min，于1125～1200℃烧结，保温2小时，制得钙钴硅微波介质陶瓷。
2.根据权利要求1的一种具有低介电常数的钙钴硅微波介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(1)的CaCO3、CoCO3、SiO2原料的质量纯度大于99.9％。
3.根据权利要求1的一种具有低介电常数的钙钴硅微波介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(4)采用粉末压片机压制成坯体，压力为6Mpa。
4.根据权利要求1的一种具有低介电常数的钙钴硅微波介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(5)中在550℃下保温180min,于1175℃烧结。
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