[发明专利]基板处理装置、基板处理方法和存储介质

说明书

本发明涉及基板处理装置、基板处理方法和存储介质，改善掩膜图案的表面的粗糙并抑制掩膜图案的轮廓形状发生变化。所述装置具备：载置台(24)，其在处理容器(21)内载置表面形成有图案掩膜(12)的基板(W)；减压机构(32)，其对所述处理容器(21)内进行减压；光照射机构(42)，其在所述处理容器内被减压并且达到1Pa以下的压力之后向所述基板(W)照射真空紫外光来改善所述图案掩膜(12)的表面的粗糙；以及控制部，其输出控制信号，以使在所述处理容器(21)内从10000Pa以上的压力减压到1Pa的期间中由所述减压机构(32)进行减压的该处理容器(21)内的减压速度为250Pa/秒以下。

技术领域

本发明涉及一种改善形成于基板的表面的图案掩膜的粗糙的技术。

背景技术

在半导体元件的制造工艺中，在半导体晶圆(以下记载为“晶圆”)等基板的表面形成抗蚀膜并且进行曝光之后，进行显影处理，由此在晶圆表面形成抗蚀图案。然后，以该抗蚀图案作为图案掩膜来进行抗蚀膜的下层膜的蚀刻，从而在该下层膜形成图案。

然而，有时在抗蚀图案的表面存在有粗糙、即凹凸。该抗蚀图案的粗糙有时会在蚀刻时对下层膜的图案的形状带来不良影响，因此有时进行改善该粗糙的处理。在专利文献1中，在臭氧浓度比规定的浓度低的气氛下照射200nm以下的波长的射线，由此能够抑制抗蚀图案的表面的粗糙。但是，具有如下风险：为了形成这样的气氛而对基板的周围抽真空，因此图案的轮廓形状与期望的轮廓形状产生偏差，导致抗蚀图案不能够起到作为图案掩膜的作用，关于详情在后进行叙述。

专利文献1：日本特开2001-127037号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明是基于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种能够改善掩膜图案的表面的粗糙并且能够抑制掩膜图案的轮廓形状发生变化的技术。

用于解决问题的方案

本发明的基板处理装置的特征在于，具备：载置台，其在处理容器内载置表面形成有图案掩膜的基板；减压机构，其对所述处理容器内进行减压；光照射机构，其在所述处理容器内被减压并且达到1Pa以下的压力后，向所述基板照射真空紫外光来改善所述图案掩膜的表面的粗糙；以及控制部，其输出控制信号，以使在所述处理容器内从10000Pa减压到1Pa的期间中由所述减压机构进行减压的该处理容器内的减压速度的平均速度为250Pa/秒以下。

本发明的基板处理方法的特征在于，包括：在处理容器内将表面形成有图案掩膜的基板载置于载置台的工序；对所述处理容器内进行减压的工序；在所述处理容器内减压并且达到1Pa以下的压力后，向所述基板照射真空紫外光来改善所述图案掩膜的表面的粗糙的工序；以及进行控制以使在所述处理容器内从10000Pa减压到1Pa的期间中，由所述减压机构进行减压的该处理容器内的减压速度的平均速度为250Pa/秒以下的工序。

本发明的存储介质保存在改善形成于基板的表面的图案掩膜的粗糙的基板处理装置中使用的计算机程序，所述存储介质的特征在于，所述计算机程序中编入有步骤，以执行本发明的基板处理方法。

发明的效果

根据本发明，在使处理容器内减压以能够基于真空紫外光对图案掩膜的表面的粗糙进行改善处理时，抑制在压力比较低的气氛中出现急剧的压力变化。由此，能够防止构成图案掩膜的分子从该图案掩膜脱离，从而能够抑制图案掩膜的轮廓形状的变化并且改善表面的粗糙。

附图说明

图1是本发明的基板处理装置的纵剖侧视图。

图2是设置于所述基板处理装置中的氘灯的俯视图。

图3是从所述氘灯照射出的光的光谱的波形图。