[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管的外延片的制备方法，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长AlN层；

在所述AlN层上生长N型GaN层；

在所述N型GaN层上生长有源层；

在所述有源层上生长P型GaN层，

其特征在于，在所述衬底上生长AlN层，包括：

将所述衬底放入磁控溅射设备中；

向所述磁控溅射设备中通入氩气、氮气与氧气的混合气体，并对所述衬底进行多次溅射，在所述衬底上形成AlN层，多次溅射时通入的所述混合气体中所述氩气与所述氮气的体积比逐次增大，

多次溅射时通入的所述混合气体中所述氩气与所述氮气的体积比为等差数列，所述多次溅射的次数为3～5次，每次溅射的时长为5～10s，多次溅射时所述磁控溅射设备中的压力为4～10mtorr。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，多次溅射时所述氩气与所述氮气的流量比值范围为1:6～1:3。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，多次溅射时所述氩气流量为20～60sccm，多次溅射时所述氮气的流量为120～200sccm。

4.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，多次溅射时所述磁控溅射设备中的温度为600～800℃。

5.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，多次溅射时所述磁控溅射设备的溅射功率为3000～5000W。

6.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

在所述AlN层上生长N型GaN层之前，将所述衬底放置在金属有机化合物化学气相沉淀MOCVD中；

向MOCVD中通入氢气，对所述AlN层进行10～15min的热处理。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，热处理的温度为900～1100℃。