[发明专利]TADF聚合物配体、量子点材料和其制备方法及应用

说明书

本发明实施例公开一种TADF聚合物配体、量子点材料和其制备方法及应用，涉及量子点材料技术领域，用于提升量子点材料的电致发光效率。所述TADF聚合物配体，包括聚合物主链以及分别枝接在聚合物主链上的TADF活性基团和量子点配位基团；所述TADF活性基团包括给电子基团以及与所述给电子基团连接的吸电子基团；所述给电子基团包括芳香类基团。所述量子点材料包括量子点以及结合在量子点表面如上所述的TADF聚合物配体。本发明实施例提供的TADF聚合物配体及量子点材料用于QLED的量子点发光层。

技术领域

本发明涉及量子点材料技术领域，尤其涉及一种TADF聚合物配体、量子点材料和其制备方法及应用。

背景技术

随着显示技术的发展，量子点电致发光器件(Quantum Dot Light EmittingDiodes，简称QLED)因其不需要额外光源的自发光特性，以及发光峰窄、发光颜色可调、发光效率高等优势，逐渐成为显示技术未来的主流发展方向之一。

目前，QLED的发光主要通过两种方式实现，一种方式为载流子直接注入式发光，即空穴从QLED空穴传输层注入到QLED量子点发光层，电子从QLED电子传输层注入到QLED量子点发光层，由空穴和电子在QLED量子点发光层内复合成激子发光；另一种方式为能量传递式发光，即由空穴和电子复合形成的激子将能量直接传递给QLED量子点发光层的量子点而发光。

相关技术中，QLED多使用镉系量子点材料来制作QLED量子点发光层。然而，镉系量子点材料的细胞毒性较大，使得镉系量子点材料的使用存在有严格限制，很难被商业化使用。但如果使用磷化铟(InP)、铜铟硫(CuInS2)等无镉量子点材料来制作QLED量子点发光层，又容易出现空穴和电子难以在由无镉量子点材料制作的QLED量子点发光层中有效复合的问题，导致该QLED量子点发光层的电致发光效率很差，从而对QLED的发光显示性能造成不良影响。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种TADF聚合物配体、量子点材料和其制备方法及应用，用于提升量子点材料的电致发光效率。

为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

本发明实施例的第一方面提供一种TADF聚合物配体，包括聚合物主链，以及分别枝接在聚合物主链上的TADF活性基团和量子点配位基团。

本发明实施例提供的TADF聚合物配体，在聚合物主链上枝接TADF活性基团，可以利用TADF活性基团使得该TADF聚合物配体具备热激发延迟荧光(Thermally ActivatedDelayed Fluorescence，简称TADF)性质；同时，本发明实施例提供的TADF聚合物配体，在聚合物主链上枝接量子点配位基团，可以利用量子点配位基团实现该TADF聚合物配体与量子点的配位结合。由此，本发明实施例提供的TADF聚合物配体在与量子点配位结合后，可以形成一种新型的量子点材料，该量子点材料利用TADF聚合物配体的TADF性质，即令空穴和电子在TADF聚合物配体中复合成激子的性质，可以使得TADF聚合物配体在电压的作用下发射光谱与量子点吸收光谱或激发光谱重合的光线，从而将TADF聚合物配体的能量以福斯特共振能量转移等的方式传递给量子点，促使量子点发光。因此，本发明实施例提供的TADF聚合物配体，能够在与量子点配位结合形成量子点材料后，使得量子点不仅可以直接由空穴和电子在量子点中复合成激子进行发光，还可以由TADF聚合物配体向量子点进行能量转移而发光，从而有效提高量子点材料的电致发光效率。