[发明专利]电容元件、图像传感器以及电容元件的制造方法在审
| 申请号： | 201810800181.4 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109494302A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 留河优子;小柳贵裕;德原健富 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/146 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一电极 第二电极 电介质层 电容元件 图像传感器 界面处 元素比 膜厚 配置 申请 制造 | ||
1.一种电容元件，其具备：
第一电极；
第二电极，该第二电极与所述第一电极相对置地配置；以及
电介质层，该电介质层位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且与所述第一电极和所述第二电极分别接触，
其中，所述电介质层的膜厚为10nm以上，
所述第一电极含有碳，
所述电介质层与所述第一电极接触的界面处的碳的元素比为30原子％以下。
2.根据权利要求1所述的电容元件，其中，所述电介质层含有选自铪的氧化物和锆的氧化物中的至少一种作为主要成分。
3.根据权利要求1所述的电容元件，其中，所述第一电极含有选自钛的氮化物或钽的氮化物中的至少一种作为主要成分。
4.根据权利要求1所述的电容元件，其中，所述界面具有在从所述第二电极向所述第一电极的方向凹陷的沟槽形状，
所述电介质层沿着所述沟槽形状设置。
5.一种图像传感器，其具备选自光电转换元件和光电二极管中的至少一种以及电容元件，
其中，所述电容元件具备：
第一电极；
第二电极，该第二电极与所述第一电极相对置地配置；以及
电介质层，该电介质层位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且与所述第一电极和所述第二电极分别接触，
所述电介质层的膜厚为10nm以上，
所述第一电极含有碳，
所述电介质层与所述第一电极接触的界面处的碳的元素比为30原子％以下。
6.一种电容元件的制造方法，其包括下述工序：
依次层叠含有碳的第一电极、膜厚为10nm以上的电介质层和第二电极的工序；以及
在所述第一电极的最外表面进行等离子体处理的工序。
7.根据权利要求6所述的电容元件的制造方法，其中，所述电介质层含有选自铪的氧化物和锆的氧化物中的至少一种作为主要成分。
8.根据权利要求6所述的电容元件的制造方法，其中，所述等离子体处理在氮气氛或氧气氛下进行。
9.根据权利要求6所述的电容元件的制造方法，其中，所述第一电极含有选自钛的氮化物或钽的氮化物中的至少一种作为主要成分，
所述层叠的工序中使用化学气相沉积法或原子层沉积法来层叠所述第一电极。
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