[发明专利]基于氧化镁衬底的氧化镓薄膜光电探测器及其制造方法在审
| 申请号： | 201810801066.9 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109037386A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 吴真平;余杰 | 申请（专利权）人： | 北京镓族科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/108 | 分类号： | H01L31/108;H01L31/032;H01L31/036;H01L31/18;C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京清诚知识产权代理有限公司 11691 | 代理人： | 乔东峰 |
| 地址： | 101300 北京市顺义区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化镓 薄膜 衬底 探测器 薄膜光电 致密 工艺可控性 光电探测器 薄膜表面 厚度稳定 制造工艺 紫外可见 暗电流 响应度 氧化镁 抑制比 电极 叠置 复性 均一 取向 制备 制造 | ||
1.一种氧化镓薄膜光电探测器，包括依次叠置的衬底、氧化镓薄膜和电极，其特征在于：所述氧化镓薄膜为(00l)取向的β-Ga2O3薄膜，所述衬底为MgO衬底。
2.如权利要求1所述的氧化镓薄膜光电探测器，其特征在于：所述MgO衬底是(100)取向的。
3.如权利要求1或2所述的氧化镓薄膜光电探测器，其特征在于：所述电极包括Ti层和/或金层。
4.如权利要求1或2所述的氧化镓薄膜光电探测器，其特征在于：所述氧化镓薄膜的厚度为100nm至200nm。
5.一种氧化镓薄膜的制造方法，包括：在衬底上，采用磁控溅射法生长氧化镓薄膜；其特征在于：所述氧化镓薄膜为(00l)取向的β-Ga2O3薄膜，所述衬底为MgAl2O4衬底。
6.如权利要求5所述的氧化镓薄膜的制造方法，其特征在于：所述磁控溅射法的生长参数包括：工作气氛为Ar气。
7.如权利要求6所述的氧化镓薄膜的制造方法，其特征在于：所述磁控溅射法的生长参数还包括：溅射功率为60W～100W。
8.如权利要求7所述的氧化镓薄膜的制造方法，其特征在于：所述磁控溅射法的生长参数还包括：工作气压为0.01Pa～10Pa。
9.如权利要求8所述的氧化镓薄膜的制造方法，其特征在于：所述磁控溅射法的生长参数还包括：薄膜生长温度为600℃～850℃。
10.一种氧化镓薄膜光电探测器的制造方法，所述氧化镓薄膜光电探测器包括氧化镓薄膜，其特征在于，所述氧化镓薄膜是通过权利要求5至9中任一项所述的氧化镓薄膜的制造方法所制造的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
