[发明专利]包括光反射图案和波长转换层的发光器件在审
| 申请号： | 201810803089.3 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109904302A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 尹柱宪;沈载仁;金台勋;金起范 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光反射图案 发光芯片 波长转换层 第二表面 第一表面 发光器件 侧表面 端子设置 透光图案 穿过 延伸 | ||
1.一种发光器件，包括：
发光芯片，其包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
第一光反射图案，其形成在所述第二表面上；
多个端子，其通过穿过所述第一光反射图案而连接到所述发光芯片；
第二光反射图案，其形成在所述发光芯片的侧表面和所述第一光反射图案的侧表面上；
透光图案，其形成在所述发光芯片和所述第二光反射图案之间，并且在所述第一光反射图案和所述第二光反射图案之间延伸；以及
波长转换层，其形成在所述发光芯片的第一表面上。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二光反射图案与所述第一光反射图案直接接触。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述透光图案的一端位于所述第一光反射图案的所述侧表面和所述第二光反射图案之间，并且所述一端形成在所述发光芯片的所述第二表面和所述第一光反射图案的底表面之间的层级处。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述透光图案的一端与所述第一光反射图案的所述侧表面的下端相邻。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发光芯片的侧表面和所述第一光反射图案的侧表面实质上共面。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一光反射图案的底表面、所述多个端子的底表面和所述第二光反射图案的底表面实质上共面。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二光反射图案的最下端形成在比所述发光芯片的第二表面低的层级处，并且
其中，所述第二光反射图案的最上端形成在高于或等于所述发光芯片的所述第一表面的层级的层级处。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二光反射图案包括具有比所述第一光反射图案高的反射率的材料。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二光反射图案包括强度比所述第一光反射图案的强度低的材料。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述透光图案和所述第二光反射图案之间的界面相对于所述第一光反射图案的侧表面倾斜45度至70度。
11.一种发光器件，包括：
发光芯片，其包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
第一光反射图案，其形成在所述第二表面上；
多个端子，其通过穿过所述第一光反射图案而连接到所述发光芯片；
第二光反射图案，其形成在所述发光芯片的侧表面和所述第一光反射图案的侧表面上；以及
波长转换层，其形成在所述发光芯片的所述第一表面上，
其中，所述第一光反射图案的底表面和所述多个端子的底表面实质上共面，
其中，所述发光芯片的侧表面和所述第一光反射图案的侧表面实质上共面，并且，
其中，所述第二光反射图案与所述第一光反射图案接触。
12.根据权利要求11所述的发光器件，还包括透光图案，所述透光图案形成在所述第二光反射图案和所述发光芯片之间并且在所述第一光反射图案和所述第二光反射图案之间延伸，
其中，所述波长转换层延伸到所述第二光反射图案和所述透光图案上。
13.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述第二光反射图案包括具有比所述第一光反射图案高的反射率的TiO2。
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