[发明专利]用于批量移转微半导体结构的方法

说明书

一种用于批量移转微半导体结构的方法，包括下列步骤：于一半导体器件上贴附一黏着材；其中，该半导体器件包括一原生基板、以及由该原生基板成长的阵列式微半导体结构，该阵列式微半导体结构是定义多个微半导体结构以阵列排列所构成；自该原生基板选择性地剥离该阵列式微半导体结构的一部分，使被批量选择的阵列式微半导体结构于该原生基板离开后仍留置于该黏着材；以及提供一黏贴装置，将该批量的阵列式微半导体结构，移转至一目标基板。

技术领域

本发明是关于一种微半导体结构的制作过程，特别是关于一种微半导体结构的批量移转制作过程。

背景技术

微发光二极管(micro LED)的产品寿命、能耗、可视角与解析度均优于软性主动式有机发光二极管(flexible AMOLED display)，应有市场上的优势；然而，微发光二极管在电路驱动设计、LED均匀度、巨量移转的实务上，仍有技术门坎与限制。

传统发光二极管(边长超过100微米)通常在磊晶(epitaxy)制作过程后，通过一系列制作过程形成阵列排列的发光二极管晶粒，欲转置于一承载底材上，是采用一选取头(pick-up head)对应一晶粒的方式，自前述承载底材执行挑选与转移。然而，在发光二极管微米化的制作中，传统制作过程可能遇到几个难题：例如，微发光二极管晶粒的边长尺寸相对较小(如100微米以下、或以下等级)，选取头的尺寸有微缩下限，选取头尺寸大于发光二极管晶粒，导致无法有效拾取微发光二极管晶粒；又如，晶粒尺寸的微米化，意谓同尺寸晶圆所能成形的晶粒数量将巨量增加，传统制作过程中以一对一拾取的方式，势必无法满足巨量移转微发光二极管晶粒的需求，导致微发光二极管的产率极低。

业界有利用微接触印刷(micro contact printing)技术，使聚合物材料模板上预设有巨量的凹凸图案，用来对应所要选取的微发光二极管晶粒，以达到巨量移转的要求。但，实务上同样也因微发光二极管晶粒的尺寸偏小，聚合物材料模板上两相邻凸点(或凹点)有难以控制间距的困难，且更困难的是，即便凸点能精确选取并下压黏取所欲移动的目标晶粒，但聚合物材料的硬度与黏性必先控制精准，尽量降低因受力变形而黏住目标晶粒的相邻晶粒的机率。

因此，实务上急欲发展更有弹性运作的制作过程。

发明内容

有鉴于此，本发明在提供一种用于批量移转微半导体结构的方法，进行批量或巨量移转微半导体结构至目标基板上，可广泛地应用于各种微半导体结构的批量或巨量移转领域。

有鉴于此，本发明在提供一种用于批量移转微半导体结构的方法，可选择性雷射剥除(laser lift-off,LLO)微半导体结构，以进行批量或巨量移转。

为此，本发明提出一种用于批量移转微半导体结构的方法，包括下列步骤：

于一半导体器件上贴附一黏着材；其中，该半导体器件包括一原生基板、以及由该原生基板成长的阵列式微半导体结构，该阵列式微半导体结构是定义多个微半导体结构以阵列排列所构成；

自该原生基板选择性地剥离该阵列式微半导体结构的一部分，使被批量选择的阵列式微半导体结构于该原生基板离开后仍留置于该黏着材；以及

提供一黏贴装置，将该批量的阵列式微半导体结构，移转至一目标基板。

附图说明

图1A、1B、1C为本发明的用于批量移转微半导体结构的方法的第一、第二、第三实施例流程图；

图2A至图2I为图1A的制作过程示意图；

图3A至图3G为图1A的另一制作过程示意图；

图4A至图4B为图1A的又一制作过程示意图；

图5A为图1A的再一制作过程示意图；

图6A至图6B为图1B的局部制作过程示意图；以及