[发明专利]一种基于氧化钼微米带/p型Si的多波段光响应器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810804323.4 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109037372B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 于乃森;陈向丰;齐岩;赵海燕;苑青;董斌 | 申请（专利权）人： | 大连民族大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/109;H01L31/18 |
| 代理公司： | 21235 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 祝诗洋 |
| 地址： | 116600 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微米带 绝缘薄层 衬底 制备 多波段光 响应器件 薄膜层 氧化钼 单根 可见光 多层结构 工艺操作 光电探测 结构接触 制造成本 光响应 催化剂 薄膜 响应 覆盖 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于氧化钼微米带/p型Si的多波段光响应器件的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：
①以p型Si为衬底，在衬底上分成镀膜区和非镀膜区，首先对非镀膜区采用绝缘胶带进行遮挡，然后采用磁控溅射生长SiO2薄膜，其厚度为10-20nm；
②将镀膜区生长得到SiO2薄膜置于离子溅射仪进行表面镀Au薄膜，其厚度为10-20nm；
③去除非镀膜区表面绝缘胶带后，将步骤②所得样品置于退火炉中于100-200℃快速退火，自然冷却至室温；
④然后采用气相输运法生长MoO3微米带，其长度为100-200μm；
⑤将步骤④得到的MoO3微米带置于显微镜下，用镊子提取单根MoO3微米棒，置于步骤③镀膜区形成的Au/SiO2薄膜和p型Si衬底表面上，使得MoO3微米棒同时与p型Si衬底表面及Au/SiO2薄膜接触；所述的多波段光响应器件指的是对紫外/可见光光响应的器件。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤②中，离子溅射的条件为：生长条件为真空度1pa，溅射电流为15mA，溅射时间为120s。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤①中，还包括对p型Si衬底进行超声清洗、烘干处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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