[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

本发明实施例提供一种形成半导体器件的方法，该方法包括将金属箔附接至载体，在附接金属箔之前预制该金属箔；在金属箔的远离载体的第一侧上形成导电柱；将半导体管芯附接至金属箔的第一侧；在半导体管芯和导电柱周围形成模制材料；以及在模制材料上方形成再分布结构。本发明实施例还提供一种半导体器件。

技术领域

本发明涉及半导体领域，并且更具体地，涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术

由于许多电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断提高，半导体产业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的这种改进来自最小部件尺寸的不断减小，这允许将更多的组件集成到给定区域内。近来随着对更小的电子器件的需求不断增长，对半导体管芯的更小且更有创意的封装技术的需求不断增长。

这些封装技术的一个实例是叠层封装(PoP)技术。在PoP封装件中，顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部上以允许高水平的集成和组件密度。另一实例是多芯片模块(MCM)技术，其中，多个半导体管芯封装在一个半导体封装件中以提供具有集成功能的半导体器件。

先进的封装技术的高水平集成使得生产具有增强的功能和小的占有面积的半导体器件，这对于诸如移动电话、平板电脑和数字音乐播放器的小型设备是有优势的。另一优势是连接半导体封装件内的互操作部分的导电路径的缩短的长度。这改善了半导体器件的电气性能，因为电路之间的互连的较短布线产生了较快的信号传播并减少了噪声和串扰。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供一种形成半导体器件的方法，方法包括：将金属箔附接至载体，在附接金属箔之前预制金属箔；在金属箔的远离载体的第一侧上形成导电柱；将半导体管芯附接至金属箔的第一侧；在半导体管芯和导电柱周围形成模制材料；以及在模制材料上方形成再分布结构。

根据本发明的另一方面，提供一种形成半导体器件的方法，方法包括：在载体的第一侧上方形成导电柱；将管芯的背侧附接至载体的第一侧；在管芯和导电柱周围形成模制材料；在管芯、导电柱和模制材料上方形成再分布结构；去除载体，其中，在去除载体之后，暴露导电柱的远离再分布结构的第一表面；在管芯的背侧上方形成散热器；以及将半导体封装件接合至导电柱的第一表面，散热器位于半导体封装件和管芯之间。

根据本发明的另一方面，提供一种半导体器件，包括：再分布结构；管芯，其中，管芯的第一侧附接至再分布结构的第一侧；模制材料，位于再分布结构的第一侧上且位于管芯周围；以及散热器，附接至与管芯的第一侧相对的管芯的第二侧，其中，散热器的远离再分布结构的第一侧比模制材料的远离再分布结构的第一表面更靠近再分布结构。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1至图9示出根据实施例的在各个制造阶段处的半导体器件的截面图。

图10至图11示出根据实施例的在各个制造阶段处的半导体器件的截面图。

图12至图19示出根据实施例的在各个制造阶段处的半导体器件的截面图。

图20示出根据实施例的半导体器件的截面图。

图21示出根据实施例的半导体管芯的截面图。

图22至图27示出根据实施例的在各个制造阶段处的半导体器件的截面图。

图28示出根据一些实施例的用于形成半导体器件的方法的流程图。

具体实施方式