[发明专利]芯片封装结构及其制备方法在审
申请号: | 201810805579.7 | 申请日: | 2018-07-20 |
公开(公告)号: | CN108878297A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 谭晓春;张光耀;陆培良 | 申请(专利权)人: | 合肥矽迈微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/495 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 高翠花;翟羽 |
地址: | 230001 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 芯片封装结构 基岛 引脚 导电凸块 导电柱 芯片封装 引线框架 重布线层 焊垫 制备 导电导热性能 高导热性能 模块化封装 导电性能 使用性能 承载面 高导电 高导热 上表面 散热 背面 优化 | ||
1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:
一引线框架,所述引线框架具有至少一基岛及至少一引脚;
至少一芯片,设置在所述基岛上,每一芯片的背面与所述基岛的承载面连接,每一芯片的有源面上设置有多个与芯片的焊垫连接的导电凸块;
至少一导电柱,设置在所述引脚上表面;
至少一重布线层,分别与所述导电凸块及所述导电柱连接,以将所述芯片的焊垫连接至所述引脚。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述芯片与所述基岛的承载面通过导电导热粘结剂层连接。
3.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述基岛为导电基岛。
4.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述基岛与承载面相对的背面设置有外管脚。
5.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,相邻的重布线层之间通过导电块连接。
6.一种芯片封装结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一引线框架,所述引线框架具有至少一基岛及至少一引脚;
提供至少一芯片,在每一芯片的有源面上形成导电凸块,所述导电凸块与每一芯片的焊垫连接;
形成一导电柱,所述导电柱设置在所述引脚上表面;
将所述芯片焊接在所述基岛的承载面上,所述芯片的有源面向上,与所述有源面相对的背面与所述基岛的承载面连接;
形成塑封体,并暴露出导电凸块的上表面及导电柱的上表面;或者
在形成导电柱步骤之前,将芯片焊接在所述基岛的承载面上;再进行塑封步骤,形成塑封体,并暴露出引脚上表面及导电凸块的上表面;塑封步骤之后,在引脚的上表面形成导电柱,所述导电柱的上表面暴露于塑封体;
形成至少一重布线层并塑封,所述重布线层分别与所述导电凸块及所述导电柱连接,以将所述芯片的焊垫连接至所述引脚,形成芯片封装结构。
7.根据权利要求6所述的芯片封装结构的制备方法,其特征在于,所述基岛与承载面相对的背面设置有外管脚。
8.根据权利要求6所述的芯片封装结构的制备方法,其特征在于,在芯片焊接在所述基岛的承载面上后进行塑封的情况下,在所述塑封体的表面形成通孔,所述通孔暴露处引脚的上表面,在通孔内填充导电材料,以形成导电柱,所述导电柱的上表面暴露于塑封体。
9.根据权利要求6所述的芯片封装结构的制备方法,其特征在于,形成多层重布线层的步骤包括:
形成一第一重布线层,所述第一重布线层与所述导电凸块及部分导电柱连接;
塑封所述第一重布线层,并暴露出部分第一重布线层;
在塑封体上形成一第二重布线层,所述第二重布线层通过至少一导电块与所述第一重布线层的暴露处及部分导电柱连接;
以此类推,形成多个重布线层,以使每一导电凸块与一所述引脚连接。
10.根据权利要求6所述的芯片封装结构的制备方法,其特征在于,所述引线框架还包括一支撑层,所述支撑层设置在所述引线框架的背面,在塑封重布线层步骤之后,还包括一去除所述支撑层的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造