[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法

说明书

本发明公开一种薄膜晶体管及其制作方法。该方法包括：在基板上沉积第一金属层；在第一金属层上沉积半导体材料层，利用第一道光刻工艺对半导体材料层进行图案化处理，形成半导体有源层；在第一金属层及半导体有源层上沉积第二金属层，采用第二道光刻工艺对第一金属层及第二金属层进行图案化处理，得到第一电极、第二电极和第三电极，第一电极与第二电极间隔设置，第一电极设置在基板上，第二电极设置在基板与半导体有源层之间，第三电极设置在半导体有源层之上，第二电极与第三电极在水平面的投影重叠，第一电极由第一金属层和第二金属层构成。通过两道光刻工艺即可完成第一电极、第二电极、第三电极以及有源层的制作，减少工艺步骤，降低成本。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体地讲，涉及一种薄膜晶体管及其制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)等平板显示装置因具有高画质、省电、机身薄以及应用范围广等优点，而被广泛地应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费型电子产品，成为显示装置中的主流。

在液晶显示器中，显示面板用于控制液晶层的工作状态，在显示面板的制作过程中，薄膜晶体管的制作是非常关键的步骤。传统的薄膜晶体管在制作过程中，至少需要三道光刻工艺接合lift-off工艺来制作形成源电极、漏电极、栅电极以及有源层，整体的工艺过程比较复杂，制作成本也较高。

发明内容

为了解决上述现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种利用两道光刻工艺制作形成的薄膜晶体管及其制作方法以及具有该薄膜晶体管的显示面板。

为了实现上述的目的，本发明采用了如下的技术方案：

一种薄膜晶体管的制作方法，所述制作方法包括：

步骤一：在基板上沉积第一金属层；

步骤二：在所述第一金属层上沉积半导体材料层，利用第一道光刻工艺对所述半导体材料层进行图案化处理，形成半导体有源层；

步骤三：在所述第一金属层及所述半导体有源层上沉积第二金属层，采用第二道光刻工艺对所述第一金属层及所述第二金属层进行图案化处理，得到第一电极、第二电极和第三电极，其中，所述第一电极与所述第二电极间隔设置，所述第一电极设置在所述基板上，所述第二电极设置在所述基板与所述半导体有源层之间，所述第三电极设置在所述半导体有源层之上，所述第二电极与所述第三电极在水平面的投影重叠，所述第一电极由第一金属层和第二金属层构成。

优选地，在步骤三之后，所述方法还包括：

在所述基板、所述第一电极和所述第三电极上形成绝缘层。

优选地，所述第一电极由第一金属层和第二金属层构成。

优选地，所述第三电极的厚度大于所述半导体有源层的厚度。

优选地，所述第三电极的厚度与所述半导体有源层的厚度相差500埃。

优选地，在所述第一金属层上沉积半导体材料层，利用第一道光刻工艺对所述半导体材料层进行图案化处理，形成半导体有源层的步骤包括：

在所述第一金属层沉积半导体材料层；

在所述半导体材料层上沉积第一光阻材料层；

采用第一道光罩对所述第一光阻材料层进行曝光、显影，得到第一光阻块；

对未被所述第一光阻块覆盖的半导体材料层进行蚀刻，得到所述半导体有源层；

剥离所述第一光阻块。