[发明专利]一种晶硅太阳电池的表界面钝化层及其钝化方法

权利要求书

1.一种晶硅太阳电池的表界面钝化层，其特征在于：所述的表界面钝化层分别设在p型晶硅电池的正面n⁺型掺杂层上和p型硅衬底的背面上，n⁺型掺杂层表面的钝化层依次为厚度2nm α-SiOx:H/折射率2.18，厚度10nm α-SiNx:H/折射率2.08，厚度30nm α-SiNx:H/ 厚度110nm α-SiOx:H四叠层结构，p型硅衬底的背面的钝化层依次为厚度2nm α-SiOx:H /厚度15nm Αl₂O₃/ 厚度220nm α-SiOx:H / 折射率2.08，厚度80nm α-SiNx:H四叠层结构。

2.如权利要求1所述的晶硅太阳电池的表界面钝化层，其特征在于：所述的p型晶硅电池为p型PERC电池。

3.一种如权利要求1所述的晶硅太阳电池的表界面钝化层的钝化方法，其特征在于，具体钝化步骤为：

（1）正面n⁺型掺杂层表面的钝化：

采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备氢化非晶氧化硅（α-SiOx:H），在α-SiOx:H的上利用PECVD技术先后制备两种不同折射率的氢化非晶氮化硅（α-SiNx:H），随后再利用PECVD技术沉积α-SiOx:H，最后形成厚度2nm α-SiOx:H /折射率2.18，厚度10nm α-SiNx:H /折射率2.08，厚度30nm α-SiNx:H/厚度110nm α-SiOx:H四叠层结构的钝化膜；

（2）P型硅衬底背面的钝化：

采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备氢化非晶氧化硅（α-SiOx:H），在α-SiOx:H上利用原子层沉积（ΑLD）技术制备Αl₂O₃，在Αl₂O₃上利用 PECVD制备的α-SiOx:H，最后再采用PECVD制备的α-SiNx:H，最终形成厚度2nm α-SiOx:H /厚度15nm Αl₂O₃/厚度220nm α-SiOx:H/折射率2.08，厚度80nm α-SiNx:H四叠层结构的钝化膜；所述原子层沉积（ΑLD）技术制备Αl₂O₃方法为：硅片清洗后，从片盒自动化传输进ΑLD腔体内沉积氧化铝薄膜，温度控制在200℃，通入TMΑ和H₂O，其流量分别为10slm和15slm，沉积时间约为15s，沉积完后自动化传输出腔进片盒。

4.如权利要求3所述的晶硅太阳电池的表界面钝化层的钝化方法，其特征在于，所述的PECVD技术制备α-SiOx:H的具体方法为：硅片清洗后，插入石墨舟内，在PECVD管内沉积α-SiOx:H层，通入硅烷和笑气，硅烷流量为90sccm，笑气流量为3.7-4.05slm，温度控制在450℃，压力为700-1500mTorr，功率为1700-2100瓦，时间为15-1200s，结束后出舟。

5.如权利要求3所述的晶硅太阳电池的表界面钝化层的钝化方法，其特征在于，所述的PECVD技术制备α-SiNx:H的具体方法为：硅片清洗后，插入石墨舟内，在PECVD管内沉积α-SiNx:H层，通入硅烷和氨气，硅烷流量为500-650sccm，氨气流量为3.75-4.5slm，温度控制在450℃，压力为1500-1600mTorr，功率为1700瓦，时间为350-1100s，结束后出舟。